熔丝结构、包含该熔丝结构的半导体器件及制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种熔丝结构、包含该熔丝结构的半导体器件及制备方法，可基于传统熔丝结构的基础上，通过在熔断区中开设凹槽，进而形成能量转折与放电点，以使得施加在熔丝上的电能集中在凹槽的区域中，在确保流经熔丝的电流或两端的电压差大于预定值后，该能量转折与放电点能够及时的熔断，且不会产生回接，同时其熔断点又可控，利于电路的设计。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种熔丝结构，其特征在于，包括：熔丝本体，设置有熔断区及位于该熔断区两端的连接区；其中，位于所述熔断区中的所述熔丝本体上设置有凹槽，以用于形成熔断处。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建兴，
申请(专利权)人：中航重庆微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85