A cutting method for semiconductor chips, semiconductor wafers, semiconductor devices and semiconductor wafers that can effectively ensure the effective area of semiconductor chips and prevent fragments is provided. A semiconductor chip area of the semiconductor chip has a rectangular shape, and has the non effective area only in the two ends at either side of the two corners of the configuration of circuit elements, arranged in a semiconductor wafer, a plurality of semiconductor chip area to make the non effective area of each are being second cutting direction of the cutting knife the way.
【技术实现步骤摘要】
半导体芯片、半导体装置、半导体晶圆及其切割方法
本专利技术涉及半导体芯片、半导体装置、半导体晶圆及半导体晶圆的切割方法。
技术介绍
一般,半导体晶圆到半导体芯片的单片化,是通过对以纵横排列多个半导体芯片区域和多个切割线而形成的半导体晶圆,沿着切割线切割而进行的。已知在这样的切割工序中,容易在半导体芯片的角部发生缺口或裂痕等(以下也统称为“破片”)。作为这样的防止破片的方法,在专利文献1中提案了在进行单片化之前,在切割线的交点先形成对单片化的半导体芯片的4个角部进行倒角的贯通孔。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本特开2009-99681号公报。
技术实现思路
【专利技术要解决的课题】然而,在专利文献1的方法中,在切割线的交点对半导体芯片的全部的角进行倒角,所以倒角后的部分会成为非有效区域(不配置/不能配置电路元件的区域),因此,半导体芯片内的有效区域(配置电路元件的区域)会减少。因而,为了确保必要的有效区域,必须增大芯片尺寸。因此,本专利技术的目的在于提供能够充分地确保半导体芯片的有效区域,并且防止破片的半导体芯片、半导体装置、半导体晶圆及半导体晶圆的切割方 ...
【技术保护点】
一种半导体芯片,其特征在于:具有具有四边的矩形形状的主面,所述主面具备:非有效区域,仅在位于所述四边之中任意一边的两端的二个角部设置,且没有配置电路元件;以及有效区域,在除了所述非有效区域以外的剩余的区域设置,且配置有电路元件。
【技术特征摘要】
2016.09.13 JP 2016-1784681.一种半导体芯片,其特征在于:具有具有四边的矩形形状的主面,所述主面具备:非有效区域,仅在位于所述四边之中任意一边的两端的二个角部设置,且没有配置电路元件;以及有效区域,在除了所述非有效区域以外的剩余的区域设置,且配置有电路元件。2.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:所述非有效区域各自的形状为在对于所述任意一边垂直的方向具有长边、且直角部与所述角部一致的直角三角形。3.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:所述非有效区域各自具有由第一直线部和比该第一直线部长的第二直线部构成的直角部,所述直角部与所述角部一致,所述第一直线部沿着所述任意一边而对位,且是面积比通过连接所述第一直线部的与所述直角部相反侧的端部和所述第二直线部的与所述直角部相反侧的端部的直线、所述第一直线部、和第二直线部形成的直角三角形小的形状。4.如权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于:沿着所述非有效区域和所述有效区域的各边界部设有裂缝阻止区域。5.如权利要求4所述的半导体芯片,其特征在于:所述裂缝阻止区域具有设置在所述半导体芯片表面的壁状构造物、槽或阶梯差。6.一种半导体装置,树脂密封了权利要求1至5的任一项所述的半导体芯片。7.一种半导体晶圆,其特征在于:具有在第一方向及与该第一方向垂直的第二方向交替排列而配置的多个半导体芯片区域及多个切割线,所述多个半导体芯片区域各自具有矩形形状,并且包含:非有效区域,仅在位于沿着所述第一方向的一边的两端的二个角部设置,且没有配置电路元件;以及有效区域,在除了所述非有效区域以外的剩余的区域设置,且配置有电路元件,各半导体芯片区域的所述一边,与在所述第一方向上以相同列并排的其他半导体芯片区域的所述一边位于同一直线上,所述非有效区域在所述第二方向上以等间隔配置。8.如权利要求7所述的半导体晶圆,其特征在于:所述非有效区域各自的形状为在所述第二方向具有长边、且直角部与所述角部一致的直角三角形。9.如权利要求7所述的半导体晶圆,其特征在于:所述非有效区域各自具有由与所述第一方向平行的第一直线部和比该第...
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