薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置，该薄膜晶体管阵列基板的制备方法包括：在衬底基板上形成有机膜层；对所述有机膜层进行表面处理以去除有机物残渣；在对所述有机膜层进行表面处理后的所述衬底基板上形成钝化层。在该薄膜晶体管阵列基板的制备过程中可通过去除形成有机膜层时引入的有机物残渣来改善薄膜晶体管阵列基板的表面环境，从而改善产品的鼓包问题、改善封框胶与薄膜晶体管阵列基板之间的粘结力减弱的问题、改善膜层结合困难的问题，使产品的PCT检测通过,并显著提升产品良率和信赖性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
由彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板对盒形成的显示面板是液晶显示器的重要组成部分，而制作高分辨率和高透过率的显示面板会带来高功耗和高污染，从而限制了液晶显示器的发展。在薄膜晶体管阵列基板中设置有机膜层可用来制作高分辨率、低功耗的液晶显示器。例如，在采用ADS(高级超维场转换)模式的液晶显示器中，设置在阵列基板上的电极(例如：像素电极或公共电极)与金属层(例如：栅金属层或源漏金属层)之间会产生寄生电容，寄生电容的存在会造成显示器的功耗过大。通过在电极和金属层之间形成一层比较厚的有机膜层(例如树脂层)可以降低电路电容、提高液晶显示器的分辨率、降低功耗，同时可以起到平坦化的作用。但是，在形成有机膜层的过程中会产生有机物残渣，有机物残渣的存在会在后续工艺中给薄膜晶体管阵列基板带来鼓包问题、容易造成封框胶与薄膜晶体管阵列基板之间的粘结力减弱的问题和膜层结合困难的问题。
技术实现思路
本专利技术至少一实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置。在该薄膜晶体管阵列基板的制备过程中可通过去除形成有机膜层时引入的有机物残渣，来改善薄膜晶体管阵列基板的表面环境，从而改善产品的鼓包问题、改善封框胶与薄膜晶体管阵列基板之间的粘结力减弱的问题、改善膜层结合困难的问题，使产品的PCT检测通过,并显著提升产品良率和信赖性。本专利技术至少一个实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包
括：在衬底基板上形成有机膜层；对所述有机膜层进行表面处理以去除有机物残渣；在对所述有机膜层进行表面处理后的所述衬底基板上形成钝化层。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，使用等离子体处理所述有机膜层的表面，生成相应的产物，并去除所述产物。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，使用一氧化二氮、氧气或氮气产生的等离子体处理所述有机膜层的表面。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，所述等离子体处理所述有机膜层的表面时的功率为2kw-25kw。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，所述等离子体处理所述有机膜层的表面时的功率为8kw-15kw。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，所述等离子体处理所述有机膜层的表面的时间为5-120秒。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，所述等离子体处理所述有机膜层的表面的时间为10-60秒。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，使用一氧化二氮、氧气或氮气产生的等离子体处理所述有机膜层的表面生成的产物包括碳氧化物、氮氧化物，并用抽真空的方式去除所述产物。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，在温度为170℃-500℃、功率为1kw-50kw的条件下处理所述有机膜层的表面以去除有机物残渣。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，所述有机膜层的材料包括丙烯酸树脂、聚硅烷、聚酰亚胺、聚偏氟乙烯、聚丙烯或聚四氟乙烯。例如，本专利技术一实施例提供的方法，还包括：在形成所述有机膜层之后，在所述有机膜层之上形成电极层，在所述电极层之上形成所述钝化层，其中，在所述有机膜层之上形成所述电极层之前或之后，对所述有机膜层进行表面处理以去除有机物残渣。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，所述电极层为像素电极。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，在所述钝化层之上形成公共电极。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，所述薄膜晶体管阵列基板中的薄膜晶体管可以是底栅型、顶栅型或双栅型结构的薄膜晶体管。例如，在本专利技术一实施例提供的方法中，所述薄膜晶体管的有源层为氧
化物半导体层、非晶硅半导体层、多晶硅半导体层或有机物半导体层。本专利技术至少一个实施例还提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括：设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、有机膜层；设置在所述有机膜层上的第一电极和在所述第一电极上的钝化层；其中，在形成所述钝化层之前对所述有机膜层进行过去除有机物残渣的表面处理。例如，本专利技术一实施例提供的薄膜晶体管阵列基板，还包括：设置在所述钝化层之上的第二电极。例如，在本专利技术一实施例提供的薄膜晶体管阵列基板中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；或者，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。本专利技术至少一个实施例还提供一种显示装置，包括上述任一实施例中的薄膜晶体管阵列基板。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1为本专利技术一实施例提供的一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法的流程图；图2为本专利技术一实施例提供的一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法的又一流程图；图3为本专利技术一实施例提供的一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法的再一流程图；图4为本专利技术一实施例提供的一种底栅型薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；图5为本专利技术一实施例提供的底栅型薄膜晶体管阵列基板的又一结构示意图；图6为本专利技术一实施例提供的底栅型薄膜晶体管阵列基板的再一结构示意图；图7为本专利技术一实施例提供的一种顶栅型薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。附图标记：400-薄膜晶体管阵列基板；401-衬底基板；402-栅极；403-栅绝缘层；404-有源层；405-漏极；406-源极；407-绝缘层；408-有机膜层；409-第一电极；410-钝化层；411-第二电极；412-过孔。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。如果在电极层和金属层之间形成一层比较厚的有机膜层(例如树脂层)，则可以降低电路电容，从而降低功耗，提高产品的分辨率，提升产品性能，同时还能起到平坦化的作用。但是，在形成有机膜层的过程中会导致有机物残渣，有机物残渣的存在会在后续工艺中给薄膜晶体管阵列基板带来鼓包问题。同时，有机物残渣和残留气体的存在容易造成封框胶与薄膜晶体管阵列基板之间的粘结力减弱的问题，水汽容易从粘结力薄弱的位置进入显示面板的内部，从而造成产品的PCT(压力锅蒸煮试验或饱和蒸汽试验)检测无法达到要求。除此之外，有机物残渣的存在也会带来膜层结合困难的问题。PCT问题是有机膜产品普遍需要面对的问题，这里PCT被作为高温高压高湿的环境中测试薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板的粘合力以及液晶是否泄漏等的参数。例如，PCT检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成有机膜层；对所述有机膜层进行表面处理以去除有机物残渣；在对所述有机膜层进行表面处理后的所述衬底基板上形成钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成有机膜层；对所述有机膜层进行表面处理以去除有机物残渣；在对所述有机膜层进行表面处理后的所述衬底基板上形成钝化层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用等离子体处理所述有机膜层的表面，生成相应的产物，并去除所述产物。3.根据权利要求2所述的方法，其中，使用一氧化二氮、氧气或氮气产生的等离子体处理所述有机膜层的表面。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述等离子体处理所述有机膜层的表面时的功率为2kw-25kw。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述等离子体处理所述有机膜层的表面时的功率为8kw-15kw。6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述等离子体处理所述有机膜层的表面的时间为5-120秒。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述等离子体处理所述有机膜层的表面的时间为10-60秒。8.根据权利要求3所述的方法，其中，使用一氧化二氮、氧气或氮气产生的等离子体处理所述有机膜层的表面生成的产物包括碳氧化物、氮氧化物，并用抽真空的方式去除所述产物。9.根据权利要求1所述的方法，其中，在温度为170℃-500℃、功率为1kw-50kw的条件下处理所述有机膜层的表面以去除有机物残渣。10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，所述有机膜层的材料包括丙烯酸树脂、聚硅烷、聚酰亚胺、聚偏氟乙烯、聚丙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹志翔，杨成绍，宋博韬，黄寅虎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11