杂环螺环化合物制造技术

技术编号:13458810 阅读:42 留言:0更新日期:2016-08-03 18:23
本发明专利技术涉及具有电子传导基团的螺环化合物,和涉及含有所述化合物的电子器件,特别是有机电致发光器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及具有电子传导基团的螺环化合物,和涉及含有所述化合物的电子器件,特别是有机电致发光器件。【专利说明】杂环螺环化合物 本专利技术涉及适合用于电子器件中的含有至少一个电子传输基团的螺环化合物。此 外,本专利技术涉及其制备方法以及涉及电子器件。 包含有机的、有机金属的和/或聚合的半导体的电子器件的重要性日益增加,它们 出于成本原因并且由于它们的性能而被用于许多商品中。在此可以提到的例子是影印机中 的有机系电荷传输材料(例如三芳基胺系空穴传输体),显示器件中的有机或聚合发光二极 管(0LED或PLED)或者影印机中的有机感光体。有机太阳能电池(0-SC)、有机场效应晶体管 (0-FET)、有机薄膜晶体管(0-TFT)、有机集成电路(0-IC)、有机光学放大器和有机激光二极 管(0-激光器)处于发展的先进阶段并且可能在未来实现重大的重要性。 不管具体应用如何,这些电子器件中许多都具有以下的一般层结构,可使所述层 结构适合于具体应用: (1)基底, (2)电极,其经常是金属的或无机的,但是也由有机的或聚合的导电材料制成, (3) -个或多个电荷注入层或一个或多个中间层,其例如用于补偿电极的不均匀 性("平坦化层"),经常由导电性掺杂聚合物制成, (4)有机半导体, (5)任选的其它电荷传输、电荷注入或电荷阻挡层, (6)对电极,其材料如(2)项下所提及的, (7)封装。 上述布置代表了有机电子器件的一般结构,其中可以结合各种层,在最简单的情 况下产生包含有机层位于其间的两个电极的布置。在这种情况下,所述有机层满足了所有 功能,包括在0LED情况下的发光。例如在W0 90/13148 A1中,基于聚(对亚苯基)描述了这种 类型的体系。 包含含有至少一个电子传输基团的螺环化合物的电子器件尤其在公布W0 2013/ 100464 A1中进行了描述。在其中明确描述的螺环化合物仅在环的2',7'_位被电子传导基 团取代,其中,在这种编号中,所述螺环化合物以使得与螺环骨架的芳基环一起形成二苯并 呋喃基团的方式在3和4位处被取代。已知的电子器件具有有用的性质概况。然而,一直需要改善这些器件的性质。 这些性质特别包括用于制造电子器件的化合物的可加工性。因此,已知的化合物 在溶液中是相对氧化敏感的。此外,已知的化合物表现出非常有限的溶解性。此外,已知的 化合物具有在高温下分解的强烈趋势,这阻碍升华。另一个问题是电子器件用以实现规定 目的的能量效率。在可以基于低分子量化合物以及基于聚合材料两者的有机发光二极管的 情况下,光输出尤其应该高,使得只需输入尽可能少的电力就能达到一定的光通量。此外, 为了达到规定的发光密度,最低的可能电压也应该是必要的。另一个问题特别是电子器件 的寿命。 因此,本专利技术的目的是提供新型化合物,所述化合物导致性能改善的电子器件。特 别地,所述目的是提供空穴阻挡材料、电子注入材料和/或电子传输材料,所述材料在加工 性、处理、效率、工作电压和/或寿命方面表现出改善的性质。此外,所述化合物应该加工尽 可能简单,尤其应该表现良好的溶解性和成膜性。另一个目的可认为是尽可能廉价和以恒定的品质提供性能优异的电子器件。此外,应该可使用或修改电子器件以用于许多用途。特别是,应该在宽温度范围内 保持所述电子器件的性能。 令人预料不到地,已经发现,通过具有专利权利要求1的所有特征的化合物,实现 了这些目的和没有明确提到但可从对其的介绍中讨论的关联性容易导出或推断的其它目 的。在从属于权利要求1的权利要求中保护根据本专利技术的化合物的有利修改。 本专利技术因此涉及含有至少一种式(I)结构的化合物其中以下适用于所使用的符号: X是0、S或(XR1 )2,优选0或S,特别优选0; Ar在每次出现时相同或不同地是具有6至40个C原子的芳基基团或具有3至40个C 原子的杂芳基基团,所述基团中的每个可以被一个或多个基团R1取代; R1在每次出现时相同或不同地是11,0^,(:1,8广1,010,(:( = 0从4,?(=0)(六4)2,3 (=0)厶八3(=0);^1,^吣2,31(1?2)3,8(01? 2)2,03021?2,具有1至40个(:原子的直链烷基、烷 氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基 基团,所述基团中的每个可以被一个或多个基团R 2取代,其中一个或多个非相邻的CH2基团 可以被 R2C = CR2、C三 C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 0、C = S、C = Se、P(=0)(R2)、S0、S02、0、 S或C0NR2代替,并且其中一个或多个氢原子可以被0^、(:1、8^1、0~或勵 2代替,或者具有5至 40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系,所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R2取 代,或者具有5至40个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团,所述基团可以被一个或多个基 团R 2取代,或这些体系的组合;两个或更多个相邻的取代基R1在此也可以彼此形成单环或多 环的脂族或芳族环系; R2在每次出现时相同或不同地是11,0^,(:1,8广1,010,(:( = 0从4,?(=0)(六4)2,3 (=0)厶八5(=0):^1,^吣2,31(1?3)3,8(01? 3)2,03021?3,具有1至40个(:原子的直链烷基、烷 氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基 基团,所述基团中的每个可以被一个或多个基团R3取代,其中一个或多个非相邻的CH2基团 可以被C 三 C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C = 0、C = S、C = Se、P(=0)(R3)、S0、S02、0、SSC0NR3 代替,并且其中一个或多个氢原子可以被0、?、(:1、8^1、0~或勵2代替,或这些体系的组合; 两个或更多个相邻的取代基R 2在此也可以彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系; Ar1在每次出现时相同或不同地是具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系, 所述环系可以被一个或多个基团R2取代;与同一磷原子键合的两个基团Ar1在此也可以通过 单键或选自 B(R3)、C(R3)2、Si(R3) 2、C = 0、C = NR3、C = C(R3)2、0、S、S = 0、S〇2、N(R3)、P(R3MPP (=〇)R3的桥连基彼此连接; R3在每次出现时相同或不同地是H,D,F,或者具有1至20个C原子的脂族、芳族和/ 或杂芳族烃基团,其中H原子还可以被F代替;两个或更多个相邻的取代基R 3在此也可以彼 此形成单环或多环的脂族或芳族环系; n在每次出现时相同或不同地是0,1,2,3或4; m在每次出现时相同或不同地是0,1,2或3; 〇在每次出现时相同或不同地是0,1或2; p、q、r、s、t、u在每次出现时相同或不同地是0或1; E是在每种情况下可以被一个或多个基团R1取代的电子传输基团; RlR1或基团_P_E,其中Ar、p和E具有上文给出的含义;妒是妒或基团_P_E,其中Ar、p和E具有上文给出的含义; 条件是 式(I)的结构含有至少一个电子传输基团E; 所有标记m、s和t的总和小于7; 所有标记n、q本文档来自技高网...

【技术保护点】
含有式(I)结构的化合物其中以下适用于所使用的符号:X是O、S或C(R1)2,优选O或S,特别优选O;Ar在每次出现时相同或不同地是具有6至40个C原子的芳基基团或具有3至40个C原子的杂芳基基团,所述基团中的每个可以被一个或多个基团R1取代;R1在每次出现时相同或不同地是H,D,F,Cl,Br,I,CHO,C(=O)Ar1,P(=O)(Ar1)2,S(=O)Ar1,S(=O)2Ar1,CN,NO2,Si(R2)3,B(OR2)2,OSO2R2,具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团,所述基团中的每个可以被一个或多个基团R2取代,其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R2C=CR2、C≡C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R2)、SO、SO2、O、S或CONR2代替,并且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替,或者具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系,所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R2取代,或者具有5至40个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团,所述基团可以被一个或多个基团R2取代,或这些体系的组合;两个或更多个相邻的取代基R1在此也可以彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系;R2在每次出现时相同或不同地是H,D,F,Cl,Br,I,CHO,C(=O)Ar1,P(=O)(Ar1)2,S(=O)Ar1,S(=O)2Ar1,CN,NO2,Si(R3)3,B(OR3)2,OSO2R3,具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团,所述基团中的每个可以被一个或多个基团R3取代,其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R3)、SO、SO2、O、S或CONR3代替,并且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替,或这些体系的组合;两个或更多个相邻的取代基R2在此也可以彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系;Ar1在每次出现时相同或不同地是具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系,所述环系可以被一个或多个基团R2取代;与同一磷原子键合的两个基团Ar1在此也可以通过单键或选自B(R3)、C(R3)2、Si(R3)2、C=O、C=NR3、C=C(R3)2、O、S、S=O、SO2、N(R3)、P(R3)和P(=O)R3中的桥连基彼此连接;R3在每次出现时相同或不同地是H,D,F,或者具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族烃基团,其中H原子还可以被F代替;两个或更多个相邻的取代基R3在此也可以彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系;n在每次出现时相同或不同地是0,1,2,3或4;m在每次出现时相同或不同地是0,1,2或3;o在每次出现时相同或不同地是0,1或2;p、q、r、s、t、u在每次出现时相同或不同地是0或1;E是在每种情况下可以被一个或多个基团R1取代的电子传输基团;Ra是R1或基团‑[Ar]p‑E,其中Ar、p和E具有上文给出的含义;Rb是R1或基团‑[Ar]p‑E,其中Ar、p和E具有上文给出的含义;条件是式(I)的结构含有至少一个电子传输基团E;所有标记m、s和t的总和小于7;所有标记n、q和u的总和小于9;标记r和o的总和小于3;如果Ra是基团‑[Ar]p‑E并且所述式(I)的结构含有最多两个电子传输基团E,则Rb表示H、D或F;并且如果Rb是基团‑[Ar]p‑E并且所述式(I)的结构含有最多两个电子传输基团E,则Ra表示H、D或F。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:埃米尔·侯赛因·帕勒姆埃尔维拉·蒙特内格罗安雅·雅提斯奇克里斯托夫·普夫卢姆乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴托比亚斯·格罗斯曼托马斯·埃伯利拉斯·多贝尔曼
申请(专利权)人:默克专利有限公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1