本发明涉及一种可聚合混合物，其可用于形成介电材料，以制备电子器件中的钝化层。

本发明涉及作为OLED材料的具体的二氮杂二苯并呋喃和二氮杂二苯并噻吩衍生物，涉及包含这些化合物的混合物和制剂，并且涉及包含这些化合物的电子器件，特别是包含这些化合物作为基质材料、电子传输材料或空穴阻挡材料的有机发光器件。

所公开和要求保护的主题涉及式(XR)M(NR1R2)3的单烷基金属化合物及其在沉积含金属膜的方法中的用途。

本文提供了5‑((3R,5S)‑3‑氨基‑5‑(三氟甲基)‑哌啶‑1‑基)喹啉‑8‑甲腈盐酸盐的无水结晶多晶型物。还公开了制备该多晶型物的方法和包含该多晶型物的药物组合物。

本发明涉及由式(1)表示的化合物、包含这些化合物的混合物和电子器件，特别是包含这些化合物作为基质材料、空穴传输材料或激子阻挡材料的有机电致发光器件。

本文提供了具有特定形态的5‑((3R,5S)‑3‑氨基‑5‑(三氟甲基)‑哌啶‑1‑基)喹啉‑8‑甲腈的晶型。还公开了制备此类颗粒的方法和包含此类颗粒的药物组合物。

本发明涉及用于电子器件、尤其是有机发光器件中的OLED材料和含有这些OLED材料的电子器件、尤其是有机发光器件。

本发明涉及适合用于电子器件中的含氰基基团的芳族化合物和包含所述材料的电子器件，特别是有机电致发光器件。

本发明涉及用于电子器件中、特别是有机发光器件中的OLED材料，并且涉及含有这些OLED材料的电子器件、特别是有机发光器件。

本发明涉及用于电子器件中、特别是有机发光器件中的OLED材料，并且涉及含有这些OLED材料的电子器件、特别是有机发光器件。

所公开和要求保护的主题涉及用于蚀刻金属氧化物膜的气相方法，其不需要使用等离子体或腐蚀性卤化气体，所述方法包括(1)用于选择性去除如Mo或W金属顶部上的含氧化金属材料的薄层的过程，和(2)用于进行包括ZrO2、HfO2、(Hf‑Zr)O2...

本发明提供一种高膜密度、高膜硬度、高耐蚀刻性的固化膜的制造方法。一种制造固化膜的方法，包括(1)在基板的上方应用组合物(i)；(2)由组合物(i)形成含烃膜；以及(3)对含烃膜照射等离子体、电子束和/或离子，形成固化膜。该固化膜的使用。

本申请涉及电子器件。具体地，本申请涉及一种电子器件，所述电子器件在阳极与发光层之间的层中包含具有特定式的化合物，并且还在发光层与阴极之间的层中包含具有特定其它式的化合物。

本申请涉及电子器件。具体地，本申请涉及一种电子器件，所述电子器件在阳极与发光层之间的层中包含具有特定式的化合物，并且还在发光层与阴极之间的层中包含具有特定其它式的化合物。

所公开和要求保护的主题涉及包含(i) 一种或多种炔烃与(ii) 一种或多种叔醇的组合的制剂以及它们用于增强金属衬底的钝化的用途。

本发明提供了使用嘧啶和吡啶化合物治疗癌症的方法，所述嘧啶和吡啶化合物用作布鲁顿酪氨酸激酶(BTK)抑制剂。

本文提供了5‑((3R,5S)‑3‑氨基‑5‑(三氟甲基)哌啶‑1‑基)喹啉‑8‑腈半水合物的结晶多晶型物。还公开了用于制备该多晶型物和包含该多晶型物的药物组合物的方法。

本发明涉及一种有机电子器件，特别是有机发光器件，所述有机电子器件含有有机层，所述有机层含有作为OLED材料的式(1)的化合物和作为OLED材料的式(2)的第二化合物，并且本发明涉及含有式(1)和(2)的化合物的混合物或制剂，其中式(1)...

本发明涉及一种有机电子器件，特别是有机发光器件，所述有机电子器件含有有机层，所述有机层又含有作为OLED材料的式(1)的化合物和作为OLED材料的式(2)的化合物，并且本发明涉及含有式(1)和(2)的化合物的混合物或制剂。式(1)的化合...

本文公开且要求保护的主题涉及具有混合有机配体和/或混合羧酸根配体的Sn6‑氧代簇合物、其合成、其制剂及其在EUV光刻中的用途。