[要解决的问题]一个目的是提供一种具有良好耐热性的化合物。本发明的另一个目的是提供一种涂层，该涂层具有较小的膜收缩性，良好的间隙填充性能和良好的平坦性。[方案]本发明提供了乙炔基衍生的复合物和包含其的组合物。并且，本发明提供了用其制造涂...

本申请涉及带负电荷的二氧化硅粒子、生产这样的粒子的方法、包含这样的粒子的组合物以及化学机械抛光方法。

本发明涉及一种具有包含第5族元素的多金属氧酸盐簇的多金属氧酸盐化合物、包含所述多金属氧酸盐化合物的制剂以及使用所述制剂和多金属氧酸盐化合物制备光学金属氧化物层的方法。所得到的光学金属氧化物层特别适合应用于光学器件，例如用于增强现实(AR...

本发明涉及一种用于存储器、传感器、场效应晶体管或约瑟夫森(Josephson)结中的电子切换器件，尤其涉及隧道结，其包括有机分子层。更具体而言，本发明包括在随机存取非易失性忆阻存储器(RRAM)领域中。本发明的另一方面涉及用于该分子层中...

本发明涉及包含电子传输性主体材料、作为敏化剂的磷光发光体、和荧光发光体的组合物，以及包含这些组合物的器件、尤其是包含含有这些组合物的发光层的有机电致发光器件。

本发明提供一种电子设备制造液、制造抗蚀剂图案的方法及制造器件的方法。

本发明涉及用于有机电致发光器件的材料。具体地，本发明涉及特别是在有机电致发光器件中用作三重态基质材料的具有二苯并呋喃、二苯并噻吩和芴基团的胺。本发明还涉及制备本发明的化合物的方法以及涉及包含所述化合物的电子器件。

[问题]本发明提供一种离子注入厚膜抗蚀剂组合物。[解决方案]一种离子注入厚膜抗蚀剂组合物，其包含具有特定结构的聚合物(A)、光酸产生剂(B)及溶剂(C)，其中由该组合物形成的抗蚀剂膜的膜厚为1.0～50μm，聚合物(A)的质均分子量为5...

[问题]本发明提供一种材料，其是黑矩阵用的组合物，其适于制造适用于高亮度的显示设备结构的高耐热性且高遮光性的黑矩阵。[解决手段]使用一种黑矩阵用组合物，其包含(I)具有特定的重复单元的硅氧烷聚合物、(II)硅烷醇缩合催化剂、(III)黑...

本发明涉及适合用于电子器件中的含氮杂环化合物，并且涉及含有所述化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。

[问题]本发明提供一种正型剥离抗蚀剂组合物。[解决方案]一种正型剥离抗蚀剂组合物，其包含具有特定的结构且cLogP为2.76～3.35的聚合物(A)、光酸产生剂(B)、及溶剂(C)。

本发明涉及式(I)和(II)中的一种的化合物、用于制造这些化合物的方法、含有一种或多种这些化合物的电子器件和所述化合物在电子器件中的用途。

本发明涉及适用于电子器件中的化合物，以及含有这些化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。

一种组合物，其至少包含含有多环芳香族烃的聚合物、散射剂和含有硫醇的单体。

本发明涉及适合用于电子器件中的芳族杂环，并且涉及含有这些化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。

本发明涉及适用于电子器件中的化合物，并且涉及含有这些化合物的电子器件、更特别是有机电致发光器件。

本发明涉及一种有机电致发光器件。具体地，本发明涉及包含被缺电子杂芳基基团取代的二苯并呋喃衍生物作为三重态基质材料的电子器件，尤其是有机电致发光器件。

本发明涉及一种有机电元件，所述有机电元件包含基于蒽的混合主体体系和包含含有至少一个氮原子的六元环的空穴阻挡化合物，所述六元环连接到与含有硫或氧原子的中心5元杂环稠合的两个苯环的部分。

本发明涉及有机电致发光器件的材料。具体地，本发明涉及式(1)的化合物，其适合用于电子器件、特别是有机电致发光器件中。

本发明涉及包含至少一种半导体发光纳米粒子如量子点和至少一种带隙为2.5eV或更多的化合物、优选芴类化合物的电子器件、特别是电致发光器件以及组合物。