本发明涉及一种用于电子器件的材料。具体地，本申请涉及式(I)化合物、其制备方法以及其在电子器件中的用途。

本发明涉及一种用于电子器件的材料。具体地，本申请涉及式(I)化合物、其制备方法以及其在电子器件中的用途。

本发明涉及适用于电子器件的化合物，以及含有这些化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。

一种包含具有特定结构的含烃化合物(A)和溶剂(B)的厚膜形成用组合物：其中，溶剂(B)含有有机溶剂(B1)和介电常数为20.0～90.0的有机溶剂(B2)；并且由厚膜形成用组合物形成的膜的厚度为0.5～10μm。

本发明涉及包含至少一种半导体发光纳米粒子例如量子点和至少一种螺二芴胺基化合物的电子器件、特别是电致发光器件以及组合物。

本发明涉及一种用于制备氘化的有机化合物的方法，所述方法包括以下步骤：提供至少一种非均相金属催化剂，所述提供包括对所述金属催化剂进行干燥；制备液体组合物，所述液体组合物包含所述有机化合物、所述至少一种非均相催化剂、至少一种氘源和至少一种作...

本发明涉及式(1)的联三苯叉‑三嗪‑二苯并呋喃/二苯并噻吩衍生物和含有所述化合物的电子器件，特别是含有所述化合物作为三重态基质材料、任选地与其它三重态基质材料和合适的磷光发光体组合的有机电致发光器件，以及合适的混合物和制剂。

[问题]提供一种与基板的亲和性高的含硅膜形成用组合物。[解决方案]一种含硅膜形成用组合物，包含：(I)具有含有特定重复单元的聚硅烷骨架的聚合物，(II)具有不饱和烃键的硅化合物，以及(III)溶剂。

本发明涉及一种新一类的介电聚合物材料，所述介电聚合物材料特别适用于电子器件的制造。所述介电聚合物材料通过使双马来酰亚胺化合物反应来形成，并且显示出有利的良好平衡型的有利材料性质。所述双马来酰亚胺化合物具有低聚物结构，其中在分子的中间部分...

本发明描述了被电子传输性基团取代的芴衍生物，所述芴衍生物尤其在电子器件中用作空穴阻挡材料、电子注入材料和/或电子传输材料。本发明还涉及一种制备本发明化合物的方法和包含这些化合物的电子器件。

含碱溶性材料的组合物、固化膜及其制造方法。

本发明涉及一种包含电子传输主体和空穴传输主体的组合物、其在电子器件中的用途以及含有所述组合物的电子器件。电子传输主体对应于N‑桥接联三苯叉类的式(1)化合物，该类化合物含有通过N原子连接的连接体，连接体上连接有取代的吡啶、嘧啶或三嗪单元。

本发明涉及式(I)的化合物、其在电子器件中的用途、所述化合物的制造方法以及含有所述化合物的电子器件。

本发明涉及一种包含电子传输性主体和空穴传输性主体的组合物、其在电子器件中的用途以及含有所述组合物的电子器件。电子传输性主体对应于N‑桥接联三苯叉类的式(1)化合物，该类化合物含有通过N原子连接的取代的吡啶、嘧啶或三嗪单元。

本发明涉及式(1)的二氰基取代的单氮杂或二氮杂二苯并呋喃衍生物和二氰基取代的单氮杂或二氮杂二苯并噻吩衍生物，其中以下适用于所使用的符号和标记：式(1)中的环A1对应于式(1A)，Y在每种情况下独立地表示N、C或CR+，其中至少一个Y表示...

本发明涉及一种式(I)的化合物，它在电子器件中的用途，制造所述化合物的方法，以及含有所述化合物的电子器件。

本发明涉及适用于电子器件中的含硼和氮的杂环化合物和含有所述化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。

本发明涉及一种电子开关器件，特别涉及隧道结，其包含有机分子层，其用于存储器、传感器、场效应晶体管或约瑟夫森结。更特别地，本发明包括在随机存取非易失性忆阻存储器(RRAM)的领域中。本发明的另一个方面涉及用于所述分子层的式I的化合物，式I...

本发明涉及一种式(I)的化合物，其在电子器件中的用途，用于制造所述化合物的方法，以及含有所述化合物的电子器件。

本发明涉及式(I)的化合物、其在电子器件中的用途、用于制备所述化合物的方法以及含有所述化合物的电子器件。