本发明涉及适用于电子器件中的化合物，并且涉及含有所述化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。电致发光器件。

本发明涉及一种用于有机电致发光器件的材料。具体地，本发明涉及式(1)化合物，其适用于电子器件、特别是有机电致发光器件，以及涉及包含这些化合物的电子器件。及包含这些化合物的电子器件。

本申请涉及式(I)的化合物、其在电子器件中的用途、制备所述化合物的方法以及包含所述化合物的电子器件。化合物的电子器件。化合物的电子器件。

本发明涉及适用于电子器件中的化合物，并且涉及含有所述化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。电致发光器件。

本发明涉及适合用于有机电致发光器件中，特别是用作发光体的铱络合物。特别是用作发光体的铱络合物。

本发明涉及适用于电子器件，特别是有机电致发光器件的式(1)的化合物，以及涉及包含这些化合物的有机电致发光器件。些化合物的有机电致发光器件。

提供了用于选择性形成含金属膜的化合物。还提供了形成含金属膜的方法。这些方法包括例如在第一基材表面上通过第一沉积工艺形成阻挡层及例如在第二基材表面上通过第二沉积工艺形成该含金属膜。艺形成该含金属膜。艺形成该含金属膜。

问题：一种抗蚀图案间的置换液、以及使用其的抗蚀图案的制造方法。解决方案：提供一种含有(A)含磺酰基的化合物、(B)含氮化合物、和(C)溶剂的抗蚀图案间的置换液。(C)溶剂的抗蚀图案间的置换液。

本发明提供一种可以形成金属层和聚硅氧烷层之间具有高粘附性的层叠体的增粘组合物、或具有优异粘附性的含硫化物的聚硅氧烷组合物。根据本发明的增粘组合物是用于金属层和聚硅氧烷层之间的增粘组合物，包含具有特定结构的硫化物和溶剂。根据本发明的含硫化...

提供一种与基板具有高亲和性的非晶硅形成用组合物。一种非晶硅形成用组合物，其包含具有氨基的聚硅烷和溶剂。具有氨基的聚硅烷和溶剂。

本发明涉及式(I)或(II)的化合物、其在电子器件中的用途、制备所述化合物的方法以及包含所述化合物的电子器件。含所述化合物的电子器件。

本申请涉及抗TIGIT抗体或其抗原结合片段、编码该抗体的核酸、其治疗组合物，以及它们用于增强T细胞功能以上调细胞介导的免疫反应和用于治疗T细胞功能障碍性疾病(例如肿瘤免疫)以治疗传染病和癌症的用途。疫)以治疗传染病和癌症的用途。

一种用于对结晶样品(11)执行X射线分析的样品保持器(3)，包括安装支撑件，该安装支撑件的第一端部能够被附接到测角仪头，其中结晶样品(11)能够在距第一端部的一距离处被附着到安装支撑件。样品保持器(3)还包括位于安装支撑件的第一端部处的...

本发明涉及式(1)的化合物、所述化合物在电子器件中的用途以及包含所述式(1)的化合物的电子器件。本发明还涉及包含一种或多种式(1)的化合物的制剂。(1)的化合物的制剂。

提出一种具有层结构(10)的二位存储器件(1)。层结构(10)以此顺序包含底层(A)、含有具有至少一个极性官能团的手性化合物的分子层(C)和顶层(E)。顶层(E)是导电的和铁磁性的。分子层(C)的手性化合物充当穿过分子层(C)的电子的自...

本发明涉及化合物，特别是用于电子器件的化合物。本发明还涉及制备本发明的化合物的方法，以及包含该化合物的电子器件。以及包含该化合物的电子器件。

本发明涉及一种电子开关器件，其包含与金属氮化物电极接触的有机分子层，用于存储器、传感器、场效应晶体管或约瑟夫森结。更特别地，本发明包括在随机访问非易失性忆阻存储器(RRAM)的领域中。本发明因此进一步涉及包含交叉阵列的电子组件，所述交叉...

本发明涉及一种使用原子层沉积(ALD)技术在衬底上制造分子层的方法，其用于电子组件，特别用于ReRAM类型的存储元件。本发明还涉及用于生产所述分子层的化合物和包含所述分子层的存储元件。层的存储元件。层的存储元件。

本发明涉及一种包括包含电子传输主体材料和空穴传输主体材料的混合物的有机电致发光器件，并且涉及一种包含所述主体材料的混合物的制剂和一种包含所述主体材料的混合物。所述电子传输主体材料对应于源自含有双螺芴基单元的化合物类别的式(1)的化合物。...

本发明涉及式(1)的化合物，其适用于电子器件，特别是有机电致发光器件中，以及包含这些化合物的电子器件。些化合物的电子器件。