电子开关器件制造技术

本发明专利技术涉及一种电子开关器件，特别涉及隧道结，其包含有机分子层，其用于存储器、传感器、场效应晶体管或约瑟夫森结。更特别地，本发明专利技术包括在随机存取非易失性忆阻存储器(RRAM)的领域中。本发明专利技术的另一个方面涉及用于所述分子层的式I的化合物，式I中出现的基团具有权利要求1中定义的含义。本发明专利技术进一步涉及所述分子层的用途以及涉及电子开关元件和基于其的部件的制造和操作方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种式I的化合物

2.根据权利要求1的化合物，其中所述化合物选自式IA-1a至IA-1f

3.根据权利要求1或2的化合物，其中

4.根据权利要求1的化合物，其中所述化合物选自式IA-2的化合物

5.根据权利要求4的化合物，其中

6.根据权利要求1至5的一项或多项的化合物，其中所述基团L表示Me、Et、n-Pr、i-Pr、CF3、OCH3、OCF3、SCH3、SCF3、环丙基、环丁基、环戊基或环己基。

7.根据权利要求1至6的一项或多项的化合物，其中U和V相同或不同地表示C-F或C-Cl。>

8.一种电子...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种式i的化合物

2.根据权利要求1的化合物，其中所述化合物选自式ia-1a至ia-1f

3.根据权利要求1或2的化合物，其中

4.根据权利要求1的化合物，其中所述化合物选自式ia-2的化合物

5.根据权利要求4的化合物，其中

6.根据权利要求1至5的一项或多项的化合物，其中所述基团l表示me、et、n-pr、i-pr、cf3、och3、ocf3、sch3、scf3、环丙基、环丁基、环戊基或环己基。

7.根据权利要求1至6的一项或多项的化合物，其中u和v相同或不同地表示c-f或c-cl。

8.一种电子开关器件(100)，其依序包含

9.根据权利要求8的电子开关器件(100)，其中在第一电极(102)和分子层(103)之间布置中间层(105)，其中所述中间层(105)包含氧化物材料，并且其中所述分子层(103)键合至所述氧化物材料，并且其中第一电极(102)和所述中间层(105)可作为第一电极(102’)工作。

10.根据权利要求9的电子开关器件(100)，其中所述氧化物中间层包含tio2、al2o3、zro2、hfo2或sio2。

11.根据权利要求8至10的一项或多项的电子开关器件(100)，其中如权利要求1中定义的式i的化合物的基团g通过化学吸附或共价键合至第一电极(102)。

12.根据权利要求8至11的一项或多项的电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·科尔施，H·塞姆，F·福格斯，M·托尔诺，J·德鲁戈施，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：