本发明提供一种聚硅氧烷组合物，其可形成机械强度高的低介电常数膜。一种聚硅氧烷组合物，其包含：(I)聚硅氧烷、(II)离子液体、(III)酸、以及(IV)溶剂，且(II)离子液体相对于(III)酸的配合比((II)/(III))以当量比计...

本发明提供一种新型交联聚硅氮烷，其能够形成厚膜，并且能够形成抗裂纹性优异的含硅膜。具有一定结构的交联聚硅氮烷。

本发明涉及4H‑萘并[1,2,3,4‑def]咔唑，包含这些化合物的混合物和制剂，以及包含这些化合物的电子器件，特别是包含这些化合物作为基质材料、电子传输材料或空穴阻挡材料的有机电致发光器件。

本发明提供一种厚膜化学增幅型正型抗蚀剂组合物。一种厚膜化学增幅型正型抗蚀剂组合物，其包含特定的碱可溶性树脂(A)、光酸产生剂(B)以及特定的溶剂(C)。

本发明涉及适合用于电子器件中、特别是适合用于有机电致发光器件中的式(1)的化合物，并且涉及包含这些化合物的电子器件。

本发明涉及适合用于电子器件中的含氮杂环化合物，并且涉及含有这些杂环化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。

本发明涉及一种含有单环烯烃类化合物或多环烯烃类化合物的组合物。

本发明涉及一种可用作有机电子器件中的活性化合物的化合物。具体地，本发明涉及可以在有机电子器件中用作活性化合物、特别是用于电子器件中的化合物。本发明还涉及本发明化合物的制备方法，以及包含所述化合物的电子器件。

本发明涉及式I的羟基氨基次膦酸衍生物，其中出现的基团和参数具有权利要求1中定义的含义，涉及制备该化合物的方法，及其在制备自组装单层(SAM)中的用途，尤其是在制备用于电子器件的可切换SAM中用途。本发明还涉及包括所述SAM的电子器件，优...

提供了一种抗蚀剂组合物、制造抗蚀剂膜的方法以及制造器件的方法。

所公开和要求保护的主题提供具有至少一个束缚的环戊二烯基配体(“Cp配体”)、至少一个脒基配体(“Ad配体”)和镧系和/或镧系样过渡金属(“M”)的前体，其具有通式(i)(Cp配体)<subgt;2</subgt;‑M‑(Ad...

本发明涉及一种金属络合物、包含金属络合物的制剂以及使用所述制剂和金属络合物制备金属氧化物光学层的方法。所得到的金属氧化物光学层特别适合应用于光学器件中、例如用于增强现实（AR）和/或虚拟现实（VR）器件中。

本发明涉及适合用于电子器件中的含氮化合物，以及含有这些化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。

本发明涉及适用于电子器件中的含氮杂环化合物和含有这些杂环化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。

本发明涉及一种通过式(1)化合物与至少一种亚硝酰阳离子源的反应来制造吲哚并[3,2,1‑jk]咔唑及其衍生物的方法。

本发明涉及一种含有碱溶性聚合物和着色剂的组合物。

一种耐显影液的抗蚀剂下层膜组合物，包含聚合物(A)、交联剂(B)、热酸产生剂(C)及溶剂(D)，其中，聚合物(A)至少包含具有保护基的单元，所述保护基通过酸脱保护，在曝光后脱保护的单元所存在的部分的亲水性产生变化。

本发明涉及二氮杂二苯并呋喃衍生物和二氮杂二苯并噻吩衍生物以及含有所述化合物的电子器件，尤其是含有三重态基质材料形式的所述化合物任选地与其他三重态基质材料和合适的磷光发光体组合的有机电致发光器件，并且本发明还涉及合适的混合物和制剂。

本发明涉及二氮杂二苯并呋喃衍生物和二氮杂二苯并噻吩衍生物以及含有这些化合物的电子器件，特别是含有基质材料形式的这些化合物任选地与其他基质材料和合适磷光发光体组合的有机电致发光器件，本发明还涉及所述化合物的合适的混合物和制剂。

本发明提供了结合人GD2蛋白的抗体，以及分离的核酸和包含编码所述抗体的序列的宿主细胞。本发明还提供了包含与生长抑制剂连接的所述抗体的免疫偶联物，以及包含本发明的抗体或免疫偶联物的药物组合物。本发明还提供了本发明的抗体、免疫偶联物和药物组...