本申请涉及一种电子器件。具体地，本申请涉及一种包含有机层的电子器件，该有机层又含有至少两种不同化合物的混合物。

提供一种制造电子器件的水溶液，其能抑制缺陷。提供了一种制造电子器件的水溶液，其包含：具有特定结构的磺酸衍生物(A)、含有水的溶剂(B)以及具有特定结构的羟基衍生物(C)。

本发明涉及适合用于电子器件中的含氮杂环化合物，并且涉及含有这些杂环化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。

本发明提供了IFN‑I活性作为使用Toll样受体(TLR)抑制剂治疗患者的预测性生物标志物的用途以及相关用途和方法。

所公开和要求保护的主题提供13族(即B、Al、Ga和In)化合物和使用该化合物作为用于沉积含金属膜的前体的方法。

本申请涉及一种电子器件，优选OLED，其特征在于，其包含两个层的叠层，其中两个层的叠层共享一个层。本申请还涉及一种制备这种电子器件的方法和一种能够用于制备这种电子器件的混合物。

提供一种制造电子器件的水溶液，其可抑制缺陷。提供了一种制造电子器件的水溶液，其包含：具有特定结构的磺酸衍生物(A)、含有水的溶剂(B)以及具有特定结构的含羟基化合物(C)。

本申请所公开和要求保护的主题涉及铜(Cu)、锌(Zn)、镉(Cd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)和钡(Ba)化合物以及使用所述化合物作为前体用于沉积含金属膜的方法。

本发明涉及新型化合物以及含有这些化合物的有机电致发光器件如OLED(有机发光二极管)，这些化合物例如用作电子传输材料和/或基质材料，任选地与其它基质材料组合。本发明还涉及含有这些新型化合物的混合物和制剂。

本发明涉及式(I)或式(II)的化合物，用于制备这种类型的化合物的方法，含有这些化合物中的一种或多种的电子器件、特别是OLED，以及这些化合物在电子器件中、特别是在OLED中的用途。

本发明涉及适用于电子器件中的化合物和含有这些化合物的电子器件，更特别地是有机电致发光器件。

本发明涉及一种用于制备氘化化合物的方法并且涉及通过所述方法制备的氘化化合物。

本发明涉及一种式(1)的杂环化合物以及包含这些化合物的组合物和器件，尤其是包含这些化合物作为主体材料的有机电致发光器件。

一种基板处理液，其含有固化成分，满足以下条件(i)或(ii)中至少任一者：(i)该固化成分是熔点为20℃以上200℃以下的塑性晶体化合物；且(ii)该基板处理液进一步含有表面改性成分。

本发明描述了一种包含空穴传输主体材料、电子传输主体材料和磷光金属络合物的组合物以及包含这些组合物的器件，尤其是包括包含这些组合物的发光层的OLED。

本发明是为了得到可洗净基板并去除颗粒的基板洗净组合物。[解决方案]提供一种基板洗净组合物，其包含不溶或难溶的溶质(A)，其中，不溶或难溶的溶质(A)是(A‑1)的单体和/或(A‑1)的多聚体；不溶或难溶的溶质(A)的pKa为9.5～4，...

本发明描述了一种用于制备芳族或杂芳族腈的方法。

本发明提供了一种使用具有特定结构的聚硅氧烷组合物以提升金属氧化物抗蚀剂的曝光灵敏度的方法。

本发明涉及：一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极、阴极和至少一个发光层，所述发光层含有至少一种4H‑萘并[1,2,3,4‑def]咔唑和其它基质材料；特定的4H‑萘并[1,2,3,4‑def]咔唑衍生物；含有所述化合物的混合物和制...

本发明涉及一种含有烷氧化物的不对称结构的硅前体化合物，其能够制备高质量的含硅薄膜，本发明还涉及一种制备其的方法，以及一种使用所述含有烷氧化物的不对称结构的硅前体化合物制备含硅薄膜的方法。