含硅膜形成用组合物、以及使用其的制造含硅膜的方法技术

[问题]提供一种与基板的亲和性高的含硅膜形成用组合物。[解决方案]一种含硅膜形成用组合物，包含：(I)具有含有特定重复单元的聚硅烷骨架的聚合物，(II)具有不饱和烃键的硅化合物，以及(III)溶剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及含硅膜形成用组合物及使用该组合物的制造含硅膜的方法。

技术介绍

1、电子器件，特别是半导体器件，由半导体膜、绝缘膜、导电膜等薄膜构成。含硅膜作为半导体膜，作为绝缘膜加工时的蚀刻掩模，作为金属栅极等的制造时的牺牲膜使用。

2、作为非晶硅膜、多晶硅膜的形成方法，使用化学气相沉积法(cvd法)、蒸镀法、溅射法等。在先进节点中，如果使用cvd等气相法工艺，则对于狭窄的沟槽会过度沉积，需要反复进行蚀刻和cvd。因此，正在研究通过涂布含有含硅聚合物的液体组合物并进行烧制来成膜。

3、作为含硅聚合物，已知氢化聚硅烷等聚硅烷，但含有该聚硅烷的液体组合物与基板的亲和性低，能够使用该聚硅烷形成膜的情况非常有限。

4、为了赋予聚硅烷功能性，正在进行导入特定的官能团的研究。例如，在专利文献1中，公开了使卤代硅烷化合物与乙烯基化合物聚合来制造聚硅烷类共聚物的方法。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：日本特开2002-128897号公报

技术实现思路本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含硅膜形成用组合物，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，(I)具有聚硅烷骨架的聚合物进一步含有由式(ib)所示的重复单元，

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，进一步包含(IV)聚硅氮烷。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，(II)具有不饱和烃键的硅化合物由式(ii)所示，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，(II)具有不饱和烃键的硅化合物是从由二乙烯基硅烷、三乙烯基硅烷、四乙烯基硅烷、甲基二乙烯基硅烷、二甲基二乙烯基硅烷、甲基三乙烯基硅烷、二烯丙基硅烷、三烯丙基硅烷、二烯...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种含硅膜形成用组合物，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，(i)具有聚硅烷骨架的聚合物进一步含有由式(ib)所示的重复单元，

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，进一步包含(iv)聚硅氮烷。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，(ii)具有不饱和烃键的硅化合物由式(ii)所示，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，(ii)具有不饱和烃键的硅化合物是从由二乙烯基硅烷、三乙烯基硅烷、四乙烯基硅烷、甲基二乙烯基硅烷、二甲基二乙烯基硅烷、甲基三乙烯基硅烷、二烯丙基硅烷、三烯丙基硅烷、二烯丙基甲基硅烷、二烯丙基二甲基硅烷、三烯丙基甲基硅烷、以及四烯丙基硅烷所组成的群组中选出的至少一种。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的组合物，其中，(iii)溶剂的相对介电常数为3.0以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的组合物，其中，(i)具有聚硅烷骨架的聚合物是使含有5个以上硅的聚硅烷化合物聚合而成的聚合物。

8.根据权利要求7所述的组合物，其中，所述聚硅烷化合物包含环状聚硅烷。

9.根据权利要求8所述的组合物，其中，所述环状聚硅烷由式(ib’)所示，

10.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：中本奈绪子，高岸秀行，藤原嵩士，佐藤敦彦，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：