一种倒装LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种倒装LED芯片的制备方法，该方法包括在蓝宝石衬底上依次形成N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层、金属反射层、金属保护层和PN电极焊盘。本发明专利技术所述倒装LED芯片的制备方法即采用了打孔技术，又采用了电流扩展技术，制备出等Pad倒装LED芯片。该芯片N电极焊盘与P电极焊盘之间具有较大的间距，为下游封装工艺提供了较大的工艺窗口，降低了封装过程中虚焊造成灯珠的失效率，从而节约了成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括：在蓝宝石衬底上从下至上依次生长N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层；在所述P型GaN层上形成金属反射层；在所述金属反射层上沉积一层金属保护层；在所述金属保护层表面部分区域刻蚀至暴露出N型GaN层形成N电极孔和N电极槽；在所述N电极孔和N电极槽内沉积N型欧姆接触金属层；在所述金属保护层表面、N电极孔和N电极槽的侧壁形成钝化层，刻蚀钝化层部分区域，暴露出N型欧姆接触金属层和部分金属保护层；将N电极孔和N电极槽连接起来形成N电极焊盘；在未被钝化层覆盖的金属保护层上形成与N电极焊盘大小相同且轴对称的P电极焊盘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭翔，赵汉民，梁伏波，金力，傅建华，汤松龄，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36