一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够在保证薄膜晶体管电子迁移率的基础上，降低薄膜晶体管的漏电流。该薄膜晶体管包括源极、漏极以及半导体有源层，半导体有源层划分为非晶硅部和多晶硅部，非晶硅部的至少一部分位于源极和漏极之间；非晶硅部主要由非晶硅构成，多晶硅部主要由多晶硅构成。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
随着液晶显示技术的发展，对薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)半导体层的电子迁移率要求要来越高，低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-siliconThinFilmTransistor，LTPSTFT)应运而生，由于LTPSTFT迁移率高，同时可以在较低温条件(低于600℃)下制备而成，基底选择灵活，制备成本较低等优点，因此已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子显示器中。现有LTPSTFT器件中，当TFT处于关状态时，受TFT自身的寄生电容影响，在漏极耗尽区形成强电场，在该电场的作用下，在漏极一侧难以形成彻底的PN结构，从而在源极和漏极之间存在电子迁移，进而导致漏电流很大，从而使得LTPSTFT器件的性能大大降低。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，能够在保证薄膜晶体管电子迁移率的基础上，降低薄膜晶体管的漏电流。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例一方面提供一种薄膜晶体管，包括源极、漏极以及半导体有源层，所述半导体有源层划分为非晶硅部和多晶硅部，所述非晶硅部的至少一部分位于所述源极和所述漏极之间；其中，所述非晶硅部主要由非晶硅构成，所述多晶硅部主要由多晶硅构成。进一步的，在所述半导体有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分中，中间部分为所述非晶硅部，两侧部分为所述多晶硅部。进一步的，所述半导体有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分中，中间部分为所述多晶硅部，两侧部分为所述非晶硅部。进一步的，所述非晶硅部仅设置于所述源极和所述漏极之间。进一步的，沿所述薄膜晶体管沟道宽度方向，所述非晶硅部与所述半导体有源层的宽度相同，在所述半导体有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分中，沿所述薄膜晶体管沟道长度方向，所述非晶硅部的长度与所述薄膜晶体管沟道长度比值为5％～20％。进一步的，所述源极与所述半导体有源层之间，以及所述漏极与所述半导体有源层之间设置有欧姆接触层。进一步的，所述欧姆接触层主要由非晶硅以及导电离子构成。本专利技术实施例另一方面还提供一种阵列基板，包括权利要求上述任一项所述的薄膜晶体管。本专利技术实施例又一方面还提供一种显示装置，包括权利要求上述的阵列基板。本专利技术实施例再一方面还提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上形成非晶硅薄膜。对所述非晶硅薄膜的部分进行退火处理以形成半导体有源层，其中，所述非晶硅薄膜上经过退火处理的部分为多晶硅部，所述非晶硅薄膜上未经过退火处理的部分为非晶硅部。在形成有所述多晶硅部和所述非晶硅部的衬底基板上，形成数据金属层。对所述数据金属层进行构图，形成源极和漏极；其中，所述非晶硅部的至少一部分位于所述源极和所述漏极之间。进一步的，在所述数据金属层之前，还包括：在形成有所述多晶硅部和所述非晶硅部的衬底基板上，在对应所述源极待形成位置以及所述漏极待形成位置，形成欧姆接触层。进一步的，在所述对所述非晶硅薄膜的部分进行退火处理以形成半导体有源层之后包括：采用离子轻掺杂工艺对所述半导体有源层进行处理。进一步的，所述对所述非晶硅薄膜的部分进行退火处理以形成半导体有源层包括，将激光发射器发射出的激光照射至位于所述非晶硅薄膜远离所述衬底基板一侧的掩膜版，以及位于所述掩膜版与所述非晶硅薄膜之间，且与所述掩膜版透过区的位置相对应的棱镜结构处。在所述棱镜结构对光线汇聚作用下，所述非晶硅薄膜在对应所述掩膜版透过区的位置受到所述激光照射，以进行退火处理，形成所述多晶硅部，所述非晶硅薄膜在对应所述掩膜版的遮挡区位置未受到所述激光照射，形成所述非晶硅部。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括源极、漏极以及半导体有源层，半导体有源层划分为非晶硅部和多晶硅部，非晶硅部的至少一部分位于源极和漏极之间；其中，非晶硅部主要由非晶硅构成，多晶硅部主要由多晶硅构成。在源极和漏极之间至少包括非晶硅部的一部分，该非晶硅部主要由电子迁移率低的非晶硅组成，这样一来，在非晶硅部的低迁移率的影响下，能够使得源极和漏极之间的电阻率增加，进而降低了源极和漏极之间的电子移动速度，使得漏电流减小。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种TFT的结构示意图；图2a为本专利技术实施例提供的一种TFT的部分结构示意图；图2b为本专利技术实施例提供的另一种TFT的部分结构示意图；图2c为本专利技术实施例提供的一种TFT的结构示意图；图2d为本专利技术实施例提供的一种TFT的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种顶栅型TFT的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种U型TFT的部分结构示意图；图5a为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图5b为本专利技术实施例提供的又一种TFT的结构示意图；图6a为本专利技术实施例提供的一种TFT的结构示意图；图6b为本专利技术实施例提供的另一种TFT的结构示意图；图6c为本专利技术实施例提供的又一种TFT的结构示意图；图7a为本专利技术实施例提供的一种TFT的部分结构示意图；图7b为本专利技术实施例提供的又一种TFT的部分结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种包括欧姆接触层的TFT的结构示意图；图9a本专利技术实施例提供的一种ADS型阵列基板的结构示意图；图9b本专利技术实施例提供的一种TN型阵列基板的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种制备TFT的方法流程图；图11a为本专利技术实施例提供的一种制备TFT的过程中的结构示意图之一；图11b为本专利技术实施例提供的一种制备TFT的过程中的结构示意图之一；图11c为本专利技术实施例提供的一种制备TFT的过程中的结构示意图之一；图12为现有技术中的一种TFT的结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种TFT的结构示意图。附图标记：10-衬底基板；11-掩膜板；12-棱镜结构；13-像素电极；14-公共电极；20-非晶硅薄膜；30-数据金属层；101-源极；102-漏极；103-半导体有源层；104-欧姆接触层；105-栅极；106-栅极绝缘层；110-遮光层；200-非晶硅部；300-多晶硅部。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管，如图1所示，该薄膜晶体管包括源极101、漏极102以及半导体有源层103，半导体有源层103划分为非晶硅部200和多晶硅部300，非晶硅部200的至少一部分位于源极101和漏极102之间；其中，非晶硅部200主要由非晶硅构成，多晶硅部300主要由多晶硅构成。由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括源极、漏极以及半导体有源层，其特征在于，所述半导体有源层划分为非晶硅部和多晶硅部，所述非晶硅部的至少一部分位于所述源极和所述漏极之间；其中，所述非晶硅部主要由非晶硅构成，所述多晶硅部主要由多晶硅构成。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括源极、漏极以及半导体有源层，其特征在于，所述半导体有源层划分为非晶硅部和多晶硅部，所述非晶硅部的至少一部分位于所述源极和所述漏极之间；其中，所述非晶硅部主要由非晶硅构成，所述多晶硅部主要由多晶硅构成；所述半导体有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分中，中间部分为所述多晶硅部，两侧部分为所述非晶硅部，且两侧部分的非晶硅部与源极和漏极在靠近沟道的一侧重叠。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿所述薄膜晶体管沟道宽度方向，所述非晶硅部与所述半导体有源层的宽度相同；在所述半导体有源层位于所述源极和所述漏极之间的部分中，沿所述薄膜晶体管沟道长度方向，所述非晶硅部的长度与所述薄膜晶体管沟道长度比值为5％～20％。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述半导体有源层之间，以及所述漏极与所述半导体有源层之间设置有欧姆接触层。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述欧姆接触层主要由非晶硅以及导电离子构成。5.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管。6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的阵列基板。7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成非晶硅薄膜；对所述非晶硅薄膜的部分进行退火处理以形成半导体有源层，其中，所述非晶硅薄膜上经过退火处理的部分为多晶硅部，所述非晶硅薄膜上未经过退火...

【专利技术属性】
技术研发人员：何晓龙，薛建设，曹占锋，孙雪菲，张斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11