【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅极，所述栅极嵌在所述衬底中；异质结，所述异质结设置在所述衬底的上表面，所述异质结包括单层石墨烯以及层状材料；源极，所述源极设置在所述异质结的上表面；以及漏极，所述漏极设置在所述异质结的上表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：卢琪，伍晓明，吴华强，张进宇，余志平，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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