一种芳杂环化合物及其制备方法以及一种有机电致发光器件技术

本发明专利技术提供了一种芳杂环化合物，具有式(Ⅰ)所示结构。本发明专利技术在苯并[g]喹喔啉，苯并[g]喹啉及苯并[g]异喹啉等结构中引进R1、R2、R3，可提高电子密度、向上技能及改善化合物性能，从而使式(I)所示的芳杂环化合物可以作为很好的电子传输材料应用，以其制备的有机电致发光器件具备较高的亮度、较好的耐热性、长寿命及较高的发光效率等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机光电材料
，尤其涉及一种芳杂环化合物及其制备方法以及一种有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光器件(OLED)是一种新型的平面显示器件，一般由两个对置的电极和插入在该两个电极之间的至少一层有机发光化合物组成。即器件的组成是由透明ITO阳极、空穴注入层(TIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极形成，按需要可省略1～2有机层。其作用机理为两个电极之间形成电压一边从阴极电子注入，另一边从阳极注入空穴，电子和空穴在发光层再结合形成激发态，激发态回到稳定的基态，器件发光。其中，电子传输层的材料目前以式1～5为主：然而随着近几年光电通讯和多媒体领域的迅速发展，对于发光器件的发光效率、使用寿命等性能要求也越来越高，上述传统电子传输层材料成为制约行业发展的瓶颈。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术要解决的技术问题在于提供一种芳杂环化合物及其制备方法以及一种有机电致发光器件，制备的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芳杂环化合物，具有式(Ⅰ)所示结构：其中，X1、X2、X3、X4独立的选自C或N；R1、R2、R3独立的选自氢原子、卤素原子，氰基、取代或非取代的C1～C50烷基、取代或非取代的C6～C50的芳基、取代或非取代的C5～C50的杂环基、取代或非取代的C6～C50的芳香族胺基；且R1、R2、R3中至少一个为上述芳基、杂环基或芳香族胺基；L1为0或1。

【技术特征摘要】
1.一种芳杂环化合物，具有式(Ⅰ)所示结构：
其中，
X1、X2、X3、X4独立的选自C或N；
R1、R2、R3独立的选自氢原子、卤素原子，氰基、取代或非取代的C1～C50烷基、取代或非取
代的C6～C50的芳基、取代或非取代的C5～C50的杂环基、取代或非取代的C6～C50的芳香族胺
基；且R1、R2、R3中至少一个为上述芳基、杂环基或芳香族胺基；
L1为0或1。
2.根据权利要求1所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述化合物具有以下任一结构：
3.根据权利要求1所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述R1、R2和R3中的任意一个或多
个独立的选自以下结构：
其中，
Ar1和Ar2独立的选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代C6～C50的芳基、取代或未取
代的C5～C50的杂环基、取代或非取代的C6～C30的芳香族胺基；
Ar3和Ar4独立的选自取代或未取代C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基；
R4为取代或未取代的C1～C60烷基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～
C50的杂环基；
R5和R6独立的选自取代或未取代的C1～C60烷基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或
未取代的C5～C50的杂环基。
4.根据权利要求3所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述化合物具有以下结构：
其中，
X1′、X2′、X3′、X4′、X5′独立的选自C或N；
Y为O、S或N(R4′)；
Z为O、S、N(R4′)或R2、R3独立的选自氢原子、卤素原子，氰基、取代或非取代的C1～C50烷基、取代或非取代
的C6～C50的芳基、取代或非取代的C5～C50的杂环基、取代或非取代的C6～C50的芳香族胺基；
R4′为取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基；
R5′和R6′独立的选自取代或未取代的C1～C50烷基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代
或未取代的C5～C50的杂环基；
Ar1′和Ar2′独立的选自取代或非取代的C6～C60的芳基；取代或非取代的C5～C60的杂环
基、取代或非取代的C6～C30的芳胺基；
Ar3′和Ar4′独立的选自取代或非取代C6～C50的芳基、取...

【专利技术属性】
技术研发人员：高春吉，王士凯，王钊，秦翠英，尹恩心，崔敦洙，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22