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本发明提供了一种芳杂环化合物，具有式(Ⅰ)所示结构。本发明在苯并[g]喹喔啉，苯并[g]喹啉及苯并[g]异喹啉等结构中引进R1、R2、R3，可提高电子密度、向上技能及改善化合物性能，从而使式(I)所示的芳杂环化合物可以作为很好的电子传输材料...该专利属于吉林奥来德光电材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林奥来德光电材料股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种芳杂环化合物，具有式(Ⅰ)所示结构。本发明在苯并[g]喹喔啉，苯并[g]喹啉及苯并[g]异喹啉等结构中引进R1、R2、R3，可提高电子密度、向上技能及改善化合物性能，从而使式(I)所示的芳杂环化合物可以作为很好的电子传输材料...