电路基板的制造方法以及电路基板技术

本发明专利技术涉及一种电路基板的制造方法以及通过这样的方法能够制造的电路基板，电路基板的制造方法包括：准备至少在表面含有硅的基板的工序；在该基板上涂敷包含铝粒子的膏剂(4)的工序；通过对涂敷了该膏剂(4)的该基板进行烧成而在该基板上形成导体层(5)的工序；在该导体层(5)上形成特定图案的抗蚀膜(6)的工序；以及通过蚀刻液来除去未形成该抗蚀膜(6)的部分的该导体层(5)的工序，该蚀刻液包含标准电极电位取比铝的标准电极电位大的值的金属M的金属离子和氟化物离子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电路基板的制造方法以及电路基板
本专利技术涉及电路基板的制造方法以及电路基板。
技术介绍
陶瓷电路基板的制造方法各种各样，但正在研究实现了低成本、高精细、高可靠性的改良。以往，这样的陶瓷电路基板选择金、银、铜、铝等作为导体层的材质，采用了如下方法，即，通过使用金属箔或金属膏剂的方法、PVD法(溅射法、真空蒸镀法等)或CVD法等来形成导体层。作为将导体层形成为电路图案的方法，采用了对导体层进行蚀刻的方法、将膏剂印刷为电路状的方法。在导体层的形成中，PVD法、CVD法由于为了真空工艺因而成本高、以及密接性不充分等成为问题。此外在使用金属箔的情况下为了在陶瓷基板固定金属箔而需要使用粘接剂，由于其劣化而在长期稳定性上容易变得不利成为问题。在使用金属膏剂的情况下，一般主要会使用金、银、铜这种贵金属类，但除了成本高以外，对于银而言因迁移而对于铜而言因氧化而引起的电阻值增加成为了课题。作为解决上述使用金属膏剂的情况下的课题的方法之一，在国际公开第2010/100893号小册子(以下为专利文献1)中，提出了使用铝膏剂的方法。此外，作为使用金属膏剂来形成导体层的具体方法，存在如下方法：将金属膏剂印刷为电路状的方法；将金属膏剂涂敷于一面，进行烧成而成为导体层后进行蚀刻的方法。但是，已知与印刷为电路状相比，进行蚀刻的方法由于不受印刷性、金属膏剂中的金属粒子的粒径的影响，能够更高精细地形成电路。然后，在烧成金属膏剂成为导体层时，为了赋予与基板的密接性，一般会将含硅的玻璃粉添加到膏剂中之后进行烧成，从而成为含硅的导体层。但是，对于通常的蚀刻而言，由于从基板表面完全除去上述含硅的导体层是很困难的，因此在蚀刻后的部分仍会有含硅的导体层作为残渣而残留，布线间的绝缘可靠性有可能会受损。作为除去该导体层的残渣的方法，如JP特开2010-278410号公报(以下为专利文献2)那样，提出了对实施了蚀刻的部分施加喷砂处理的方法。在先技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2010/100893号小册子专利文献2：JP特开2010-278410号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在作为赋予基板与导体层的密接性的方法，采用上述的将含硅的玻璃粉添加到膏剂中的方法的情况下，由于会在导体层中包含含有作为绝缘物的硅的玻璃，因此导体层的导电性等性能可能会劣化。此外，在作为除去上述的含硅的导体层的残渣的方法，采用喷砂处理的情况下，由于研磨材料的粒径的限制会使电路的精细性受损，因此失去了能够高精细地形成电路这种基于蚀刻的方法的优点。即，在实施喷砂处理，形成例如使线间距离(导体/绝缘体/导体)小于100μm的微细布线等情况下，需要缩小用于喷砂处理的研磨材料的粒径，但若粒径过小则磨削能力会变得不充分，除去蚀刻后的残渣变得困难。此外，在基于喷砂的磨削后还需要附着于基板的研磨材料的除去工序，工序增加，作为结果，成本增高。如上所述，使有效利用能够高精细地形成电路这样的基于蚀刻的方法的优点的同时在基板与导体层之间赋予高密接性、以及容易去除蚀刻后的残渣相兼顾的电路基板的制造方法以及通过这样的方法而能够制造的具有基板与导体层之间的高密接性和布线间的优异的绝缘可靠性的电路基板，处于至今未被知晓的状况。本专利技术鉴于上述那样的状况而作，其目的在于，提供一种使有效利用能够高精细地形成电路这样的基于蚀刻的方法的优点的同时在基板与导体层之间赋予高密接性、以及容易去除蚀刻后的残渣相兼顾的电路基板的制造方法以及具有基板与导体层之间的高密接性和布线间的优异的绝缘可靠性的电路基板。用于解决课题的手段本专利技术人们发现了，为了达成能够容易地去除在通常的蚀刻方法下作为残渣而残留的导体层、形成高微细布线这样的课题，只要使用至少在表面含有硅的基板，使用铝粒子作为金属膏剂中包含的金属，蚀刻液包含标准电极电位取比铝的标准电极电位大的值的金属M的金属离子和氟化物离子即可，使本专利技术得以完成。即，本专利技术是一种电路基板的制造方法，包括：准备至少在表面含有硅的基板的工序；在该基板上涂敷包含铝粒子的膏剂的工序；通过对涂敷了该膏剂的该基板进行烧成而在该基板上形成导体层的工序；在该导体层上形成特定图案的抗蚀膜的工序；以及通过蚀刻液来除去未形成该抗蚀膜的部分的该导体层的工序，该蚀刻液包含标准电极电位取比铝的标准电极电位大的值的金属M的金属离子和氟化物离子。在此，该金属离子是铁离子或铜离子，该氟化物离子源自于从由氟化氢、四氟化硅、六氟硅酸、六氟硅酸盐、三氟化硼、氟硼酸、氟硼酸盐、氟化磷、氟化铵、氟化银、氟化铝、氟化铯、氟化钾、氟化钠以及氟化锂构成的群中选择的至少1种化合物。此外，该蚀刻液也可以包含0.01～10质量％的该氟化物离子。此外，本专利技术是一种电路基板，包含：至少在表面含有硅的基板；形成在该基板上的含铝的导体层；以及形成于该基板与该导体层的界面的源自导体层的铝和硅混合存在的混合层，该基板具有该导体层被部分地除去的部分，使得该导体层在该基板上形成特定的布线图案，在针对该基板的垂直方向的剖面中，该导体层被部分地除去的部分的该基板的表面区域中的源自该导体层的铝元素的通过能量分散型X射线分析(以下也称为EDS分析)所得到的峰值强度与硅元素的通过能量分散型X射线分析所得到的峰值强度之比(铝元素的峰值强度/硅元素的峰值强度)为十分之一以下。另外，在该基板包含铝元素的情况下，能够将从该分析结果的铝元素的峰值强度中减去源自基板的铝元素的峰值强度而得到的数值视为源自导体层的铝元素的峰值强度。专利技术效果本专利技术所涉及的电路基板的制造方法示出如下的优异效果，即，能够使如下两个方面同时实现：有效利用能够高精细地形成电路这样的基于蚀刻的方法的优点的同时，在基板与导体层之间赋予高密接性；以及容易去除蚀刻后的残渣。因此，通过本专利技术的制造方法而得到的电路基板成为适于多芯片化以及高密度安装化的电路基板。即，本专利技术的电路基板具有基板与导体层之间的高密接性和布线间的优异的绝缘可靠性。附图说明图1是示意性地表示了本专利技术的电路基板的制造方法的工序的剖面图。图2是观察了实施例1的电路基板的导体层的表面的光学显微镜像。图3是示出了实施例1的电路基板的导体层与基板之间的垂直方向的剖面中的导体层与基板的界面部分的元素分析结果的图。图4是示出了实施例1的电路基板的导体层与基板之间的垂直方向的剖面中的除去了导体层的部分的元素分析结果的图。具体实施方式以下，更详细地说明本专利技术。<电路基板的制造方法>本专利技术的电路基板的制造方法的特征在于，包含：准备至少在表面含有硅的基板的工序；在基板上涂敷含有铝粒子的膏剂的工序；通过对涂敷了膏剂的基板进行烧成而在基板上形成导体层的工序；在导体层上形成特定图案的抗蚀膜的工序；和通过蚀刻液来除去未形成抗蚀膜的部分的导体层的工序。<准备基板的工序>本专利技术的电路基板的制造方法包含准备至少在表面含有硅的基板的工序。(基板)作为至少在表面含有硅的基板，例如图1(i)中作为玻璃-陶瓷复合基板1所示的那样，能够列举在陶瓷基板2上包覆了含硅的玻璃组合物3的基板。在此，陶瓷基板的材质并无特别限定，但可以列举氧化铝、氮化铝、碳化硅等。此外，玻璃组合物的材质只要包含硅则并无特别限定，但可以列举硼硅酸系玻璃、碱土硅酸盐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路基板的制造方法，包括：准备至少在表面含有硅的基板的工序；在所述基板上涂敷包含铝粒子的膏剂的工序；通过对涂敷了所述膏剂的所述基板进行烧成而在所述基板上形成导体层的工序；在所述导体层上形成特定图案的抗蚀膜的工序；以及通过蚀刻液来除去未形成所述抗蚀膜的部分的所述导体层的工序，其中，所述蚀刻液包含标准电极电位取比铝的标准电极电位大的值的金属M的金属离子和氟化物离子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.28 JP 2013-2464141.一种电路基板的制造方法，包括：准备至少在表面含有硅的基板的工序；在所述基板上涂敷包含铝粒子的膏剂的工序；通过对涂敷了所述膏剂的所述基板进行烧成而在所述基板上形成导体层的工序；在所述导体层上形成特定图案的抗蚀膜的工序；以及通过蚀刻液来除去未形成所述抗蚀膜的部分的所述导体层的工序，其中，所述蚀刻液包含对所述铝粒子表面的氧化覆膜进行溶解的氟化物离子和标准电极电位取比铝的标准电极电位大的值的金属M的金属离子。2.根据权利要求1所述的电路基板的制造方法，其中，所述金属M的金属离子是铁离子或铜离子，所述氟化物离子源自于从由氟化氢、四氟化硅、六氟硅酸、六氟硅酸盐、三氟化硼、氟硼酸、氟硼酸盐、氟化磷、氟化铵、氟化银、氟化铝、...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻孝辅，小池和德，川岛桂，土屋权寿，今井信治，
申请(专利权)人：东洋铝株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP