一种提高混合存储器随机读性能的方法技术

本发明专利技术涉及计算机芯片读取优化领域，尤其涉及一种提高混合存储器随机读性能的方法。在混合存储器中，当系统频繁对某一级存储芯片中的数据块进行随机读操作，那么就把该数据块中的数据转移到随机读性能更好的存储芯片中，从而提高整个混合存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】


本专利技术涉及计算机芯片读取优化领域，尤其涉及一种提高混合存储器随机读性能的方法。

技术介绍

以NAND闪存做存储介质混合而成的NAND混合存储器如图1所示，第一级单层单元型NAND芯片(SLC)，第二级为双层单元型NAND芯片(MLC)，第三级为三层单元型NAND芯片(TLC)依次类推和最后一级3D-NAND型芯片，这几种类型的芯片由存储控制器控制对其进行读写操作以及执行一些特定算法，比如数据管理，磨损均衡等。
如果在NAND混合存储器中，系统在一段时间内对3D-NAND中的某一个数据块(block)进行大量的随机读操作，由于3D-NAND的随机读性能最差，那么整个NAND混合存储器的性能就会受很大影响。这样就会拖慢整个系统的处理效率，所以亟需一种提高混合存储器随机读性能的方法。

技术实现思路

针对上述存在的问题，本专利技术公开了一种提高混合存储器随机读性能的方法，其具体的技术方案为：
一种提高混合存储器随机读性能的方法，所述混合存储器中包括第0级到第N-1级存储芯片(1<N)，第0级到第n级存储器芯片的数据随机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高混合存储器随机读性能的方法，所述混合存储器中包括第0级到第N‑1级存储芯片(1<N)，第0级到第n级存储器芯片的数据随机读的性能逐渐下降，其特征在于，所述方法包括：统计第n级存储芯片(0＜n≤N‑1)中的数据在一段时间内的被随机读的次数，并按照用户配置，并将最频繁的被随机读的数据迁移到第m级存储芯片(0≤m＜n)中，其中，n、N、m均为自然数。

【技术特征摘要】
1.一种提高混合存储器随机读性能的方法，所述混合存储器中
包括第0级到第N-1级存储芯片(1<N)，第0级到第n级存储器芯
片的数据随机读的性能逐渐下降，其特征在于，所述方法包括：统计
第n级存储芯片(0＜n≤N-1)中的数据在一段时间内的被随机读的
次数，并按照用户配置，并将最频繁的被随机读的数据迁移到第m
级存储芯片(0≤m＜n)中，其中，n、N、m均为自然数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储芯片包
括相变存储器、磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：景蔚亮，陈邦明，
申请(专利权)人：上海新储集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31