一种LED发光芯片的新型倒装结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED发光芯片的新型倒装结构，包括衬底，所述衬底下表面设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层和P型半导体层上设置有暴露出N型半导体层的孔槽，孔槽内部和P型半导体层表面设置有光阻层，光阻层上设置有缺口，N型半导体层和P型半导体层通过缺口分别连接金属电极。本发明专利技术还公开了上述LED发光芯片的制备方法。上述LED发光芯片采用光阻层代替SiO2钝化层，简化LED芯片的结构；光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀，能更好的起到保护作用；此外，还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED领域，具体涉及一种LED发光芯片的新型倒装结构及其制备方法。
技术介绍
LED发光芯片具有体积小、能耗低、寿命长以及环保等优点，广泛应用于照明领域。LED芯片具有正装和倒装两种结构，其主体是一个发光PN结，主要由N型半导体、发光层和P型半导体组成，所述N型半导体和P型半导体分别连接金属电极。现有的倒装LED芯片一般在发光PN结外覆盖一层钝化层(Si02层)，起保护作用，钝化层外再设置一层光阻层。由于现有的倒装LED芯片在制作过程中需要分别添加钝化层和光阻层，之后还需对金属电极上方的光阻层和钝化层分别进行蚀刻，工序繁琐，制作麻烦，增加成本;此外，由于Si02是硬性材料，抗冲击、抗压的能力较差，使钝化层不能很好起到保护作用。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种LED发光芯片的新型倒装结构，利用软性材料的光刻胶取代钝化层对LED芯片的主体进行保护，简化芯片结构;本专利技术还公开了制备上述倒装LED发光芯片的方法。本专利技术为解决其技术问题采用的技术方案是: 一种LED发光芯片的新型倒装结构，包括衬底，所述衬底下表面设置有由上至下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED发光芯片的新型倒装结构，其特征在于：包括衬底（10），所述衬底（10）下表面设置有由上至下依次排列的N型半导体层（20）、发光层（30）和P型半导体层（40），所述发光层（30）和P型半导体层（40）上通过蚀刻形成暴露出N型半导体层（20）的孔槽，所述孔槽内部和P型半导体层（40）表面设置有由透明绝缘的光刻胶通过曝光形成的光阻层（50），所述光阻层（50）上设置有暴露N型半导体层（20）和P型半导体层（40）的缺口，所述N型半导体层（20）和P型半导体层（40）通过缺口分别连接金属电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郝锐，易翰翔，刘洋，许徳裕，
申请(专利权)人：广东德力光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44