一种超导量子干涉器件的封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种超导量子干涉器件的封装结构，包括：封装槽，底部和侧壁形成有低通滤波层；底板，固定于所述封装槽底部的低通滤波层表面，且制备有器件引出电极；超导量子干涉器件，固定于底板上，并实现电性连接；盖板，密封覆盖于封装槽上形成容置空间，以将超导量子干涉器件封装于该容置空间内，且盖板朝向封装槽的一面形成有低通滤波层，所述低通滤波层包括金属粉末与低温胶的混合物层。本发明专利技术在超导量子干涉器件的封装结构中加入由金属纳米粒子构成的屏蔽层，可以有效防止外界射频电磁场进入到超导量子干涉器件中，同时低温胶的绝缘特性使得屏蔽层不能构成导通回路因此不产生金属涡流，从而提高了超导量子干涉器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于超导量子干涉器件(SQUID)
，涉及一种SQUID器件的封装方案，尤其是设计一种能够有效防止外界高频电磁场干扰的SQUID器件的封装结构。
技术介绍
超导量子干涉器件(superconductingquantum interference device，SQUID)是基于约瑟夫森效应和磁通量子化原理的超导量子器件，它的基本结构是在超导环中插入两个约瑟夫森结，SQUID是目前最灵敏的磁通传感器，典型的SQUID器件的磁通噪声在μΦΟ/HzV2量级(1 Φ0 = 2.07 X 10-15Wb)，其磁场噪声在fT/HzV2量级(lfT = l X 10-15T)，由于其具有极高的灵敏度，SQUID器件在生物磁检测、无损检测、低场核磁共振、地球物理磁场探测等应用领域具有极大的应用潜力。在测量SQUID器件的噪声时，通常将SQUID器件置于磁屏蔽环境中，如磁屏蔽室或利用超导材料制作的屏蔽筒，以屏蔽外界的电磁场干扰。但在SQUID器件应用时，因为SQUID器件需要感应外界待测信号，因此不能将SQUID器件完全屏蔽起来。外界的射频电磁场将对SQUID器件的性质产生影本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超导量子干涉器件的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：封装槽，所述封装槽的底部和侧壁形成有低通滤波层；底板，固定于所述封装槽底部的混合物层表面，且所述底板上制备有器件引出电极；超导量子干涉器件，固定于所述底板上，且所述超导量子干涉器件的芯片电极与所述器件引出电极电性连接；盖板，密封覆盖于所述封装槽上形成容置空间，以将所述超导量子干涉器件封装于该容置空间内，且所述盖板朝向封装槽的一面形成有低通滤波层；其中，所述低通滤波层包括金属粉末与低温胶的混合物层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张栖瑜，王会武，刘全胜，蒋坤，应利良，王镇，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31