传感器的微凸状氧化层结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种传感器的微凸状氧化层结构及其制造方法，包括衬底Si和氧化层SiO2，所述氧化层SiO2附着在所述衬底Si上，所述氧化层SiO2形成一向上拱起的凸包位于所述衬底Si的上面，使用光刻胶PR烘烤技术，搭配刻蚀技术，利用光刻胶PR和氧化层SiO2的刻蚀选择比完成一定角度的微凸块的氧化层结构的加工，该传感器的微凸状氧化层结构及其制造方法与其它加工方式相比能够缩短研发周期，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种传感器氧化层及其制造方法，尤其涉及一种。
技术介绍
现有的MEMS磁传感器需要在具有一定角度的坡面氧化层上完成传感器单元的加工。现有的具有微凸状的氧化层结构加工技术目前仍处于开发阶段，需要较长的研发周期，导致具有一定角度的坡面氧化层加工起来比较困难，良率较低，成本较高。有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种，使其更具有产业上的利用价值。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种能够缩短研发周期，降低生产成本的。本专利技术提出的一种传感器的微凸状氧化层结构，其特征在于:包括衬底Si和氧化层Si02，所述氧化层S1jii着在所述衬底Si上，所述氧化层Si02形成一向上拱起的凸包位于所述衬底Si的上面。本专利技术提出的一种传感器的微凸状氧化层结构的制造方法，其特征在于:包括以下步骤:(1)在衬底Si上附着氧化层Si02;(2)在氧化层Si02l旋涂具有一定高温流动性的光刻胶PR，然后进行曝光，显影；(3)在真空或常压状态下对光刻胶PR进行烘烤，使光刻胶PR形成一定坡度的形貌； (4)按照一定的刻蚀选择比对氧化层S1jP光刻胶PR进行反应离子刻蚀(RIE)，将光刻胶PR的形貌传递给氧化层Si02，使氧化层5102具有一定坡度；(5)用干法去胶机去除氧化层Si02上的光刻胶PR ;(6)用清洗剂清除氧化层Si02上的残留物，最终得到微凸状氧化层结构。作为本专利技术方法的进一步改进，步骤(2)中所述光刻胶PR的流动性温度为120?180度，所述氧化层Si02上旋涂光刻胶PR的厚度为3?5微米，曝光时间为200?800毫秒，显影时间为15?90秒。作为本专利技术方法的进一步改进，步骤(3)中所述光刻胶PR烘烤的温度为120?180度，烘烤时间为1?15分钟。作为本专利技术方法的进一步改进，步骤(4)中氧化层S1jP光刻胶PR的刻蚀选择比为0.8?1.3,所述反应离子刻蚀(RIE)的气体包括CF4、CHF3、Ar、和02，气体流量比为1:0 ?1:1 ?5:0 ?0.5〇作为本专利技术方法的进一步改进，所述氧化层S1jP光刻胶PR的刻蚀选择比为1:1ο作为本专利技术方法的进一步改进，步骤(6)中所述清洗剂为SPM洗液、SCI洗液和去离子水，清洗顺序依次为SPM洗液清洗、SCI洗液清洗和去离子水清洗。作为本专利技术方法的进一步改进，在最终得到微凸状氧化层结构上沉积一层硼磷硅玻璃(BPSG)。借由上述方案，本专利技术至少具有以下优点:本专利技术提供的传感器的微凸状氧化层结构能够完全达到MEMS磁传感器的使用要求，本专利技术提供的制造方法加工容易，能够提高良率，降低成本，同时能够缩短对于传感器的微凸状氧化层结构加工技术的研发周期，而且该方法可以推广到其他产品。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。【附图说明】图1为本专利技术光刻胶PR烘烤前的氧化层结构示意图；图2为本专利技术光刻胶PR烘烤后的氧化层结构示意图；图3为本专利技术反应离子刻蚀(RIE)后的氧化层结构示意图；图4为本专利技术清除光刻胶PR后的氧化层结构示意图；图5为本专利技术传感器的微凸状氧化层结构示意图；图6为本专利技术氧化层沉积一层硼磷娃玻璃(BPSG)的不意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。实施例:一种传感器的微凸状氧化层结构，包括衬底Si和氧化层Si02，所述氧化层S1j#着在所述衬底Si上，所述氧化层Si02B成一向上拱起的凸包位于所述衬底Si的上面。一种传感器的微凸状氧化层结构的制造方法，包括以下步骤:(1)在衬底Si上附着氧化层Si02;(2)在氧化层Si02l旋涂具有一定高温流动性的光刻胶PR，然后进行曝光，显影；(3)在真空或常压状态下对光刻胶PR进行烘烤，使光刻胶PR形成一定坡度的形貌；(4)按照一定的刻蚀选择比对氧化层S1jP光刻胶PR进行反应离子刻蚀(RIE)，将光刻胶PR的形貌传递给氧化层Si02，使氧化层Si02具有一定坡度；(5)用干法去胶机去除氧化层Si02上的光刻胶PR ；(6)用清洗剂清除氧化层Si02上的残留物，最终得到微凸状氧化层结构。步骤⑵中所述光刻胶PR的流动性温度为120?180度，所述氧化层Si02上旋涂光刻胶PR的厚度为3?5微米，曝光时间为200?800毫秒，显影时间为15?90秒。步骤(3)中所述光刻胶PR烘烤的温度为120?180度，烘烤时间为1?15分钟。步骤(4)中氧化层S1jP光刻胶PR的刻蚀选择比为0.8?1.3，所述反应离子刻蚀(RIE)的气体包括0卩4、(:册3、4^和02，气体流量比为1:0?1:1?5:0?0.5。所述氧化层S1jP光刻胶PR的刻蚀选择比为1:1。步骤(6)中所述清洗剂为SPM洗液、SCI洗液和去离子水，清洗顺序依次为SPM洗液清洗、SCI洗液清洗和去离子水清洗。在最终得到微凸状氧化层结构上沉积一层硼磷硅玻璃(BPSG)。进一步平缓氧化层的侧面台阶以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，并不用于限制本专利技术，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本专利技术的保护范围。【主权项】1.一种传感器的微凸状氧化层结构，其特征在于：包括衬底Si和氧化层Si02，所述氧化层Si02附着在所述衬底Si上，所述氧化层Si02B成一向上拱起的凸包位于所述衬底Si的上面。2.一种传感器的微凸状氧化层结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤： (1)在衬底Si上附着氧化层Si02; (2)在氧化层Si02l旋涂具有一定高温流动性的光刻胶PR，然后进行曝光，显影； (3)在真空或常压状态下对光刻胶PR进行烘烤，使光刻胶PR形成一定坡度的形貌； (4)按照一定的刻蚀选择比对氧化层SiOjP光刻胶PR进行反应离子刻蚀（RIE)，将光刻胶PR的形貌传递给氧化层Si02，使氧化层Si02具有一定坡度； (5)用干法去胶机去除氧化层Si02上的光刻胶PR; (6)用清洗剂清除氧化层Si02上的残留物，最终得到微凸状氧化层结构。3.根据权利要求2所述的传感器的微凸状氧化层结构的制造方法，其特征在于：步骤(2)中所述光刻胶PR的流动性温度为120?180度，所述氧化层Si02上旋涂光刻胶PR的厚度为3?5微米，曝光时间为200?800毫秒，显影时间为15?90秒。4.根据权利要求2所述的传感器的微凸状氧化层结构的制造方法，其特征在于：步骤(3)中所述光刻胶PR烘烤的温度为120?180度，烘烤时间为1?15分钟。5.根据权利要求2所述的传感器的微凸状氧化层结构的制造方法，其特征在于：步骤(4)中氧化层SiOjP光刻胶PR的刻蚀选择比为0.8?1. 3，所述反应离子刻蚀（RIE)的气体包括0?4、(：册3、41和02，气体流量比为1:0?1:1?5:0?0. 5。6.根据权利要求5所述的传感器的微凸状氧化层结构的制造方法，其特征在于：所述氧化层SiOjP光刻胶PR的刻蚀选择比为1:1。7.根据权利要求2所述的传感器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传感器的微凸状氧化层结构，其特征在于：包括衬底Si和氧化层SiO2，所述氧化层SiO2附着在所述衬底Si上，所述氧化层SiO2形成一向上拱起的凸包位于所述衬底Si的上面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨涛，
申请(专利权)人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32