一种半导体设备中用于屏蔽成膜区防打火机构制造技术

一种半导体设备中用于屏蔽成膜区防打火机构，是以消除上电极喷淋装置与下电极薄膜衬底承载件之间打火为目的。该机构将一导电优良的金属，制成片状，并加工出密集且排列均匀的小孔，将其嵌入到片状绝缘盘内部，使其有一部分露出于绝缘片，再在绝缘片上加工出与此金属片小孔排列方式相同的小孔。所述绝缘片的小孔略小于金属片的小孔，这样，绝缘片除了在某一特定位置露出金属片的一部分，金属片的其他部分完全被绝缘片包覆。使用时，将绝缘片安装于反应腔中，置于上电极喷淋装置与下电极薄膜衬底承载件之间，使暴露于绝缘片外部的一部分优良导电金属与腔体或其他接地零件接触，消除绝缘片与薄膜衬底之间的区域的电位差，使工艺反应平稳进行，避免薄膜因打火而制备失败。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种接地装置，确切地说是一种半导体设备中用于屏蔽成膜区域打火的接地装置，属于半导体薄膜沉积应用及制备

技术介绍
现有的半导体镀膜设备中，有一类设备的工作原理或薄膜制备工艺要求是，真空反应腔体内，喷淋装置位于上方，薄膜衬底及其承载件位于下方，在喷淋装置上加载射频电压使其形成上电极，薄膜衬底下方的承载件接地形成下电极，薄膜生长过程中通入工艺气体，在上电极加载高频电压，既在工艺气体均匀地从喷淋装置中喷出时，上电极喷淋装置与下电极接地的薄膜衬底承载件之间产生射频电场，使工艺气体发生辉光放电，获得足够的能量在薄膜衬底上反应生长薄膜。但在这一过程中，上电极喷淋装置与下电极薄膜衬底承载件之间，会因各种因素，如:承载件表面有尖点等硬件缺陷、射频电源不稳定及反应腔体中有颗粒等等，产生打火，直接导致薄膜在衬底上被烧焦，喷淋装置表面和承载件表面产生焦糊状印记等严重后果，损坏薄膜衬底致使薄膜生长失败，还要将有打火印记的硬件拆卸清洗、若无法恢复还将报废，造成薄膜生产中断及硬件损坏等重大损失。
技术实现思路
本技术以消除上电极喷淋装置与下电极薄膜衬底承载件之间的打火，自身接地并与上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体设备中用于屏蔽成膜区防打火机构，其特征在于：将一导电金属制成片状，并加工出密集且排列均匀的小孔，将其嵌入到片状绝缘盘内部，使其有一部分露出于绝缘片，再在绝缘片上加工出与此金属片小孔排列方式相同的小孔，所述绝缘片的小孔略小于金属片的小孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕光泉，苏欣，吴凤丽，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21