【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及等离子刻蚀
，尤其设及一种刻蚀终点检测系统。
技术介绍
随着半导体器件特征尺寸的缩小W及集成电路晶片制造过程中等离子处理工艺 步骤的数量和复杂度的迅速增加，人们对等离子处理工艺控制的要求变得越来越严格，运 就需要采用实时监控的手段来控制等离子工艺过程的关键阶段。 现有技术中等离子处理工艺终点检测的方法有很多，如质谱法、激光干设法和等 离子体阻抗变换法等，但运些方法都有一些缺点。如，质谱法主要通过分析残余的气体，但 在辉光放电区常常漏掉一些短寿命的活性物质；激光干设法只能观测到被刻蚀忍片上的某 一特殊区域，而且，会提高所观测区的刻蚀速率；等离子体阻抗变换法依赖于刻蚀完成时等 离子体中的化学变化，但是运种方法会直接因小讯号电平而损坏，且对膜的种类、压力和其 他工艺参数很敏感。 基于此，人们研究出了另一种终点检测法，采用光学发射光谱法（OE巧进行等离 子体刻蚀终点检测，运种方法主要基于在线光谱检测设备对等离子体发射出的光谱进行 实时检测，当刻蚀到不同的物质层时，发射光谱会出现明显的变化，尤其是当达到刻蚀终点 时，因刻蚀材料发生转变，其气...
【技术保护点】
一种刻蚀终点检测系统，应用于等离子刻蚀腔，其特征在于，该检测系统包括：光源，所述光源用于发射光谱线；单色光谱仪，所述单色光谱仪具有狭缝入口，所述狭缝入口通过第一光纤与所述光源相连，通过第二光纤与所述等离子刻蚀腔相连，所述单色光谱仪用于对所述狭缝入口射入的光谱线进行检测，获得当前光谱线的强度；处理器，所述处理器用于判断所述单色光谱仪检测到的所述光源发射的光谱线的强度是否满足第一预设条件，并在所述单色光谱仪检测到的所述光源发射的光谱线的强度不满足第一预设条件时，发出提示信息。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：睢智峰，
申请(专利权)人：上海陛通半导体能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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