晶片抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种晶片抛光方法，其特征在于，在抛光过程中首先使用粗抛浆，在抛光过程最后5分钟内使用精抛浆；在抛光过程最后1分钟内浸入表面活性剂溶液中清洗。本发明专利技术中的晶片抛光方法，抛光片的不良率降至0.5％以下，大大提高了产品良率，提高了生产效率，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
半导体市场竞争的日趋激烈，降低能耗、节省成本、提升良率成为技术发展的核心。在硅片抛光完成后，表面呈疏水性，纯水(含少量抛浆)在硅片表面容易凝结成水珠，硅片受到腐蚀，形成烧结斑，导致抛光片的不良率达到5% -20%,良率波动很大，给正常生产造成极大困扰和良率损失。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供一种良率高的。为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案实现:，其特征在于，在抛光过程中首先使用粗抛浆，在抛光过程最后5分钟内使用精抛浆；在抛光过程最后1分钟内浸入表面活性剂溶液中清洗。优选地是，抛光过程中，晶片温度为15°C -20°C。优选地是，所述表面活性剂为亲水性表面活性剂。优选地是，所述表面活性剂为TSC-1。优选地是，抛光的最后2分钟，将粗抛浆改为精抛浆。优选地是，抛光的最后30秒，引入表面活性剂。优选地是，所述粗抛浆PH值为9-10，粒径为12-17nm ;所述精抛浆PH值为8_9，粒径为 40_60nm。本专利技术中，抛光粗抛使用的粗抛浆的PH值为9-10，而精抛浆的PH值为8-9，在粗抛的最后阶段使用PH值更小，粒径更大的精抛浆可以降低在硅片抛光完成时停留在硅片表面残留浆液的PH值，降低产生烧结的可能性。使用表面活性剂后，硅片抛光后表面覆盖一层保护层，呈亲水性，纯水在表面不凝结，保护硅片表面放置受到腐蚀引起烧结。降低抛光时的晶片的温度，也可以减少烧结的发生。本专利技术中的，抛光片的不良率降至0.5%以下，大大提高了产品良率，提高了生产效率，降低了生产成本。【具体实施方式】下面对本专利技术进行详细的描述:，其特征在于，在抛光过程中首先使用粗抛浆，在抛光过程最后5分钟内使用精抛浆；在抛光过程最后1分钟内浸入表面活性剂溶液中清洗。抛光过程中，晶片温度为15°c -20°c。晶片温度保持在该温度范围内，优选采用恒温，温度波动幅度不超过2度更佳。本专利技术中，所述表面活性剂为亲水性表面活性剂。优选采用表面活性剂为TSC-1。更优选地是，抛光的最后2分钟，将粗抛浆改为精抛浆；抛光的最后30秒，引入表面活性剂。本专利技术中所述粗抛浆PH值为9-10，粒径为12-17nm ;所述精抛浆PH值为8_9，粒径为40_60nmo本专利技术中的实施例仅用于对本专利技术进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本专利技术保护范围内。【主权项】1.，其特征在于，在抛光过程中首先使用粗抛浆，在抛光过程最后5分钟内使用精抛浆；在抛光过程最后1分钟内浸入表面活性剂溶液中清洗。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，抛光过程中，晶片温度为15。。-20。。。3.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述表面活性剂为亲水性表面活性剂。4.根据权利要求1或3所述的，其特征在于，所述表面活性剂为TSC-1。5.根据权利要求1所述的，其特征在于，抛光的最后2分钟，将粗抛浆改为精抛浆。6.根据权利要求1所述的，其特征在于，抛光的最后30秒，引入表面活性剂。7.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述粗抛浆PH值为9-10，粒径为12-17nm ;所述精抛浆PH值为8-9，粒径为40_60nm。【专利摘要】本专利技术公开了一种，其特征在于，在抛光过程中首先使用粗抛浆，在抛光过程最后5分钟内使用精抛浆；在抛光过程最后1分钟内浸入表面活性剂溶液中清洗。本专利技术中的，抛光片的不良率降至0.5％以下，大大提高了产品良率，提高了生产效率，降低了生产成本。【IPC分类】B24B37/04, H01L21/304【公开号】CN105313000【申请号】CN201410370771【专利技术人】林涛, 邹晓明 【申请人】上海合晶硅材料有限公司【公开日】2016年2月10日【申请日】2014年7月30日本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶片抛光方法，其特征在于，在抛光过程中首先使用粗抛浆，在抛光过程最后5分钟内使用精抛浆；在抛光过程最后1分钟内浸入表面活性剂溶液中清洗。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林涛，邹晓明，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31