温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种晶片抛光方法，其特征在于，在抛光过程中首先使用粗抛浆，在抛光过程最后5分钟内使用精抛浆；在抛光过程最后1分钟内浸入表面活性剂溶液中清洗。本发明中的晶片抛光方法，抛光片的不良率降至0.5％以下，大大提高了产品良率，提高了生产效...
该专利属于上海合晶硅材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海合晶硅材料有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。