透明介质基片微带电路湿法刻蚀过程终点的检验方法技术

本发明专利技术公开了一种透明介质基片微带电路湿法刻蚀过程终点的检验方法。该检验方法包括如下步骤：提供两个透明介质基片，一个用作试验片，另一个用作工件；对试验片和工件的正面使用相同工艺沉积一定厚度的材料层，在工件的背面沉积一定厚度的材料层，并在工件的背面留有非沉积材料层区；在试验片上定义刻蚀图形并完成湿法刻蚀，形成刻蚀工艺条件，然后将在试验片上形成的刻蚀工艺条件微调处理后应用于工件正面的材料层湿法刻蚀，在工件上形成刻蚀图形，通过直观观察工件的非沉积材料层区及其对应的工件正面区域，判断工件上刻蚀图形的底部是否裸露出工件，由此得出工件正面的材料层湿法刻蚀的终点是否到位。本发明专利技术方法利于提高电路产品的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微波毫米波集成电路制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
透明介质如蓝宝石、熔融石英等介质基片，在微波毫米波电路中广泛应用。湿法腐蚀是一种成本低、刻蚀速率快的薄膜图形化方法。薄膜电路一般采用多层结构，TaN-TiW-Au和TiW-Au结构非常常见，其中，TaN作为薄膜电阻层，TiW作为粘附层，Au作为导体层。含薄膜电阻的微带电路正面导体层结构为TaN-TiW-Au，反面可为TaN-TiW-Au结构或TiW_Au，不含薄膜电阻的微带电路正面导体层结构为TiW-Au，反面为TiW-Au结构。这类电路的制作过程通常为正反面依次沉积复合薄膜材料后，在保护反面膜层结构的前提下光刻刻蚀正面电路图形。针对含薄膜电阻的微带电路，从上到下薄膜结构分别为Au-TiW-TaN-介质-TaN-TiW-Au或Au-TiW-TaN-介质_TiW_Au ;针对不含薄膜电阻的微带电路，从上到下薄膜结构分别为Au-TiW-介质-TiW-Au。由于TaN薄膜电阻的颜色为灰黑色，TiW薄膜的颜色为银灰色，两者颜色非常相近，由于有背面直接接触介质表面的TaN或TiW膜层的影响和介质的透明特性，使得上本文档来自技高网...

【技术保护点】
透明介质基片微带电路湿法刻蚀过程终点的检验方法，其特征在于，包括如下步骤：s1提供第一基片和第二基片，第一基片和第二基片均为透明介质基片；其中，第一基片作为试验片，第二基片作为工件；s2在第一基片的正面和第二基片的正面使用相同工艺沉积材料层，且第一基片正面和第二基片正面的材料层分别覆盖住该材料层对应基片的全部正侧表面；在第二基片的背面沉积材料层，且第二基片背面的材料层覆盖住第二基片的部分背侧表面，未被第二基片背面的材料层覆盖的第二基片背侧表面下方留有非沉积材料层区；s3在第一基片正面的材料层上定义第一刻蚀图形并完成湿法刻蚀，形成刻蚀工艺条件；s4在第二基片正面的材料层上定义第二刻蚀图形，将步骤...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹乾涛，赵海轮，冯见龙，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十一研究所，
类型：发明
国别省市：山东;37