PN结染结方法技术

本发明专利技术公开了一种PN结染结方法，包含：第1步，对待分析的样品表面形成保护后对沟槽横断面方向进行研磨两端保护环，得到只剩余与源区沟槽平行的保护环的样品；第2步，对研磨好的样品全方位通过保护层保护好保护环，并对没有保护的区域表面以及背面使用镀金机镀金；第3步，对研磨好的样品全方位保护好保护环，并对没有保护的区域断面进行正面以及反面使用镀金机镀金；第4步，去除保护层后，在氢氟酸、硝酸、醋酸的混合液内常温染结后SEM分析。本发明专利技术通过对超级结源区进行镀金而对保护环进行阻挡，增强保护环区的P型和N型的导电性差异，提高染结效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，即一种PN结染结方法，特别是指超级结及保护环PN结的染结方法。
技术介绍
PN结是集成电路工作的基础，PN结的分析对于芯片失效分析，制程监控，工艺改进等具有重要的意义。一般的超级结保护环及源区PN结形貌如图1及图2所示，图1是俯视图，图2是剖面图。化学染结方法是PN结分析中较普遍的方法。对于化学染结，目前所发现的决定染结效果的因素有:1.化学试剂；2.PN结固有特性，如结的大小，掺杂浓度等；3.染结的工艺，如温度，时间等。目前的对于超级结染结方法大致如下:1.通过断面研磨至分析区域。2.室温下，在染结溶液内染10秒。现有的方法染结工艺上源区与保护环相同，都是在同一时间、同一温度下进行；PN结固有特性上源区与保护环相同，无论结的大小以及掺杂溶度都相同；染结试剂相同。但染结后的效果源区与保护环出现非常明显的差异。现有方法能较好的对应源区域内结的分析，但对于保护环区域的结分析效果欠佳，如图3及图4所示，图3显示保护环区与源区染结之后的显微图，保护环区与源区染结效果具有十分明显的差距，如图4所示的放大图，保护环区的PN结基本上无法分辨，没有显示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PN结染结方法，其特征在于，包含如下步骤：第1步，对待分析的样品表面形成阻挡保护层后，对源区沟槽的横断面进行研磨，研磨沿沟槽方向进行，研磨两端的与源区沟槽垂直的保护环，得到只剩下与源区沟槽平行的保护环的样品；第2步，对研磨好的样品的保护环区域全方位形成阻挡保护层，并对没有保护的区域表面以及背面使用镀金机镀金；第3步，对研磨好的样品的保护环区域全方位形成阻挡保护层，并对没有保护的区域断面进行正面以及反面使用镀金机镀金；第4步，去除保护层后，在氢氟酸、硝酸、醋酸的混合液内常温染结后SEM分析。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：芮志贤，赖华平，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31