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本发明公开了一种PN结染结方法，包含：第1步，对待分析的样品表面形成保护后对沟槽横断面方向进行研磨两端保护环，得到只剩余与源区沟槽平行的保护环的样品；第2步，对研磨好的样品全方位通过保护层保护好保护环，并对没有保护的区域表面以及背面使用镀金...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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