【技术实现步骤摘要】
一次编程的记忆胞及其阵列结构与操作方法
本专利技术涉及一种非易失性存储器(Non-volatilememory)，且特别涉及一种一次编程的记忆胞(onetimeprogrammingmemorycell)及其阵列结构(arraystructure)与操作方法。
技术介绍
众所周知，非易失性存储器在断电之后仍旧可以保存其数据内容。一般来说，当非易失性存储器制造完成并出厂后，使用者即可以编程(program)非易失性存储器，进而将数据记录在非易失性存储器中。而根据编程的次数，非易失性存储器可进一步区分为：多次编程的存储器(multi-timeprogrammingmemory，简称MTP存储器)、一次编程的存储器(onetimeprogrammingmemory，简称OTP存储器)或者光罩式只读存储器(MaskROM存储器)。基本上，使用者可以对MTP存储器进行多次的编程，用以多次修改存储数据。而使用者仅可以编程一次OTP存储器，一旦OTP存储器编程完成之后，其存储数据将无法修改。而MaskROM存储器在出厂之后，所有的存储数据已经记录在其中，使用者仅能够读取Mask...
【技术保护点】
一种一次编程的记忆胞，包括：P型基板；第一栅极结构，形成于该P型基板的表面上，并连接至字线；第二栅极结构，形成于该P型基板的该表面上，并连接至第一编程线；第三栅极结构，形成于该P型基板的该表面上，并连接至第二编程线；第一N型扩散区，形成于该P型基板的该表面下且相邻于该第一栅极结构的第一侧，且该第一N型扩散区连接至位线；以及第二N型扩散区，形成于该P型基板的该表面下方且相邻于该第一栅极结构的第二侧；其中，该第二栅极结构下方的通道区为第一N型掺杂通道区，该第三栅极结构下方的通道区为第二N型掺杂通道区，该第二栅极结构、该第一N型掺杂通道区与该第二N型扩散区形成第一变容器；该第三栅...
【技术特征摘要】
2014.07.08 US 62/022,1661.一种阵列结构的操作方法，该阵列结构包括：第一一次编程的记忆胞，包括：第一晶体管，具有漏极，源极连接至第一位线，以及栅极连接至第一字线；第一变容器，具有第一端连接至该第一晶体管的该漏极，第二端连接至第一编程线；以及第二变容器，具有第一端连接至该第一晶体管的该漏极，第二端连接至第二编程线；以及第二一次编程的记忆胞，包括：第二晶体管，具有漏极，源极连接至该第一位线，以及栅极连接至第二字线；第三变容器，具有第一端连接至该第二晶体管的该漏极，第二端连接至第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴孟益，陈信铭，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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