非挥发记忆胞元制造技术

一种记忆胞元，用以永久储存资料，系具有： 一内存材料（７），其可呈现一第一高电阻状态与一第二低电阻状态；以及 一加热装置，系被提供来以不同速率加热该内存材料至一预定的温度， 该内存材料（７），其系根据加热速率在冷却之后具有一高电阻或是一低电阻，该加热装置具有一开关装置（１０）与一加热组件，系直接邻近于该记忆材料（７），其中 该开关装置（１０）具有一场效应（ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ）晶体管以及该场效应晶体管之一汲极区（ｄｒａｉｎ ｒｅｇｉｏｎ），系被提供作为一加热区。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本案系关于非挥发记忆胞元，系用以永久储存资料，特别是，本案系关于记忆胞元，其中资料的储存经由一“欧沃尼克(ovonic)”内存材料，特别是一种欧沃尼克(ovonic)固体内存。
技术介绍
“欧沃尼克(ovonic)”内存材料可呈现一种高电阻状态与一种低电阻状态，此内存材料通常是一种可呈现在两种状态格式的合金在一种低电阻之多晶结构与在高电阻之非结晶结构。为了将内存材料引入两种状态之其中之一，其必须被熔化而后再被冷却，以便使其被固态化成两种状态格式之一。假使此内存材料被以高的能量供应，很快速的加热直至熔化，内存材料的结晶结构即被破坏，在冷却时被固体化成非结晶状态。假使内存材料在一较低能量供应之较长的加热步骤中更慢的被熔化，然后其在冷却时会呈现一种多晶状态。此内存材料在非结晶状态时具有一高电阻，而在多晶状态时则具有一较低的电阻。2002年3月的美国电机电子工程师学会月刊《IEEE Spectrum》中，第20至21页之“再生内存可将快闪加入阴影(Reborn Memory May Put Flash in Shade)”揭露一种以具有此类“欧沃尼克(ovonic)”内存材料之帮助的记忆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种记忆胞元，用以永久储存资料，系具有一内存材料(7)，其可呈现一第一高电阻状态与一第二低电阻状态；以及一加热装置，系被提供来以不同速率加热该内存材料至一预定的温度，该内存材料(7)，其系根据加热速率在冷却之后具有一高电阻或是一低电阻，该加热装置具有一开关装置(10)与一加热组件，系直接邻近于该记忆材料(7)，其中该开关装置(10)具有一场效应(field effect)晶体管以及该场效应晶体管之一汲极区(drain region)，系被提供作为一加热区。2.如申请专利范围第1项所述之记忆胞元，其中该汲极区(13)系包含一高度掺杂接触制造区(16)，用以制造与该内存材料之一接触。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之记忆胞元，其中该场效应晶体管(10)系被铅直地建构在一基质之中以及被一具有低热传导的绝缘材料(6)所包围。4.如申请专利范围第3项所述之记忆胞元，其中该绝缘材料(6)具有一硅化合物，特别是二氧化硅或一氮化硅。5.一种记忆胞元，用以永久储存资料，系具有一内存材料(7)，其可呈现一第一高电阻状态与一第二低电阻状态；一加热装置，系被提供来以不同速率加热该内存材料，该内存材料(7)，其系根据加热速率在冷...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·蒂翰伊，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：