改进的存储单元接触部分制造技术

一种存储单元，它包括：　　　　晶体管，具有形成于衬底上的第一及第二扩散区和栅极；　　　　电容器，具有在第一和第二电极之间的介电层；　　　　第一插头，与第一电极和第一扩散区相连；以及　　　　　第二插头，它包含第一和第二部分，其中，所述第二部分至少在一侧与所述第一部分交迭，形成缝隙，用作氢扩散到晶体管的路径。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器集成电路(IC)，特别涉及一种铁电存储器集成电路。
技术介绍
图1表示铁电存储单元101的截面图。该存储单元包括形成于衬底105上的晶体管130。所述晶体管包括栅极133和第一及第二扩散区131和132。电容器140经一导电的下电容器插头151与晶体管的一个扩散区相连。所述电容器包括设于第一和第二电极143和145之间的铁电层144。通常，在所述插头与电容器的电极之间设有阻挡层142，以抑制可使所述插头氧化的氧气扩散。所述电容器上方设有密封层167。该密封层用于防止氢气渗透所述铁电层。与另一扩散区相连的是一个插头。这个插头比如可与位线相连。有些应用(如系列体系结构)中，把所述另一个扩散区与上部电容器电极145相连。比如在Takashima等人的IEEE JOURNAL.SOLID-STATE CIRCUIT，VOL.33，pp787-792，May 1998和“A Sub-40ns Chain FRAM Architecturewith 7ns Cell-Plate-Line Drive”，IEEE JOURNAL OF SOLID-STATECIRCUITS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，它包括晶体管，具有形成于衬底上的第一及第二扩散区和栅极；电容器，具有在第一和第二电极之间的介电层；第一插头，与第一电极和第一扩散区相连；以及第二插头，它包含第一和第二部分，其中，所述第二部分至少在一侧与所述第一部分交迭，形成缝隙，用作氢扩散到晶体管的路径。2.如权利要求1所述的存储单元，其中，所述介电层包含铁电材料，形成铁电电容器。3.如权利要求2所述的存储单元，其中，还包括第一氢阻挡层，衬在第二插头的第二部分的侧壁和覆盖电容器的介电层的表面；以及在电容器与晶体管之间的第二氢阻挡层，该第二阻挡层毗连所述第二部分的侧壁，形成阻止来自电容器下面的氢的扩散的阻挡层。4.如权利要求3所述的存储单元，其中，还包括第三氢阻挡层，衬在所述第一插头的侧壁上。5.如权利要求1所述的存储单元，其中，还包括第一氢阻挡层，衬在第二插头的...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈斯·希利格，
申请(专利权)人：印芬龙科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：