测量晶片的零倾斜角度的方法技术

本发明专利技术用来解决已知技术只能在装机验机时进行晶片倾斜角度归零，而不能在例行校正维修程序中确认晶片的倾斜角度的缺点。本发明专利技术利用装机验机时在晶片倾斜角度为零时所得到的配方程序为监测配方程序，并使用监测配方程序对倾斜角度大致为零的晶片进行掺杂程序。最后，分析多次掺杂程序的晶片表面变化程度值与晶片阻抗，偏差值最大的掺杂程序所对应到的晶片即可视为零倾斜角度的晶片。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于，特别有关于可以应用在日常例行性校正维修程序中的确认晶片是否为零倾斜角度的方法。
技术介绍
由于半导体制造程序是对晶片依序进行一连串的步骤，例如蚀刻、沉积与图案转移等等。如果晶片的实际位置与预定的位置不同，或晶片的实际角度与预定的角度不同，都会使得这些步骤的结果与预期结果不同。因此，如何校准待处理的晶片的实际位置与实际角度，始终是一个重要的问题。已知技术一般的作法，只有在任一台机器的装机程序或验机程序中，才作晶片倾斜角度的测试，确认依规定放置的晶片的倾斜角度是否为零。在此，是将多个晶片放在不同的倾斜角度(可以目视估计大约为零的角度)，然后以不同的配方程序(recipe)进行掺杂程序，最后再透过分析各个晶片的掺杂结果，来判断那个晶片最逼近零倾斜角度，并以此晶片的倾斜角度为零倾斜角度。但如此作，有一个潜在的问题在一次验机程序(或装机程序)与下一次验机程序之间，有可能因为碰撞等等难免的缘故，使得依校正结果放置的晶片的倾斜角度发生偏移而不再为零倾斜角度。此时，如果变化量大到肉眼可以看出，操作人员可以暂停此机器的使用并准备进行验机程序等以消除偏差。但如果变化量小到肉眼看不出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量晶片的零倾斜角度的方法，包含：　　　　以已完成的一接受度测试中，晶片零倾斜角度的一配方程序为一监测配方程序；　　　　使用该监测配方程序进行多次掺杂程序，在此任一该掺杂程序皆是让被掺杂之一晶片的一倾斜角度大约为零倾斜角度，并且不同该掺杂程序对应到不同的该倾斜角度；以及　　　　测量该些掺杂程序的结果，并以测量结果明显与其它该些掺杂程序不同的一特殊该掺杂程序中一晶片的倾斜角度为一零倾斜角度。

【技术特征摘要】
1.一种测量晶片的零倾斜角度的方法，包含以已完成的一接受度测试中，晶片零倾斜角度的一配方程序为一监测配方程序；使用该监测配方程序进行多次掺杂程序，在此任一该掺杂程序皆是让被掺杂之一晶片的一倾斜角度大约为零倾斜角度，并且不同该掺杂程序对应到不同的该倾斜角度；以及测量该些掺杂程序的结果，并以测量结果明显与其它该些掺杂程序不同的一特殊该掺杂程序中一晶片的倾斜角度为一零倾斜角度。2.如权利要求1所述的测量晶片的零倾斜角度的方法，其特征在于，任一该掺杂程序是将多数离子以大约与该晶片表面垂直的方向掺杂至该晶片中。3.如权利要求1所述的测量晶片的零倾斜角度的方法，其特征在于，是测量被掺杂过晶片的表面变化程度值。4.如权利要求3所述的测量晶片的零倾斜角度的方法，其特征在于，是以表面变化程度值标准差最大的一该掺杂程序中该晶片的倾斜角度为一零倾斜角度。5.如权利要求3所述的测量晶片的零倾斜角度的方法，其特征在于，当任一该掺杂程序所对应的表面变化程度值标准差皆小于一预定值时，任一该掺杂程序所对应的晶片倾斜角度皆不为所需要的一零倾斜角度。6.如权利要求5所述的测量晶片的零倾斜角度的方法，其特征在于，该预定值约为百分之六。7.如权利要求1所述的测量晶片的零倾斜角度的方法，其特征在于，是测量被掺杂过晶片的阻抗。8.如权利要求1所述的测量晶片的零倾斜角度的方法，其特征在于，是以阻抗标准差最大的一该掺杂程序中该晶片的倾斜角度为一零倾斜角度。9.如权利要求7所述的测量晶片的零倾斜角度的方法，其特征在于，当任一该掺杂程序所对应的阻抗标准差皆小于一预定值时，任一该掺杂程序所对应的晶片倾斜角度皆不为所需要的一零倾斜角度。10.如权利要求9所述的测量晶片的零倾斜角度的方法，其特征在于，该预定值约为百分之六。11.一种生产线上快速校正晶片倾斜角度的方法，包含执行一接受度测试，校正晶片的一零倾斜角度，并以晶片零倾斜角度时的一配方程序为一监测配方程序；以及在生产线的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金龙，何春雷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]