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改进的存储单元接触部分制造技术
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下载改进的存储单元接触部分的技术资料
文档序号:3208987
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一种存储单元,它包括: 晶体管,具有形成于衬底上的第一及第二扩散区和栅极; 电容器,具有在第一和第二电极之间的介电层; 第一插头,与第一电极和第一扩散区相连;以及 第二插头,它包含第一和第二部分,其中,所述第二部分...
该专利属于印芬龙科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过印芬龙科技股份有限公司授权不得商用。
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