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非挥发记忆胞元制造技术
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文档序号:3210828
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一种记忆胞元,用以永久储存资料,系具有: 一内存材料(7),其可呈现一第一高电阻状态与一第二低电阻状态;以及 一加热装置,系被提供来以不同速率加热该内存材料至一预定的温度, 该内存材料(7),其系根据加热速率在冷却之后具有...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有,仅供学习研究参考,未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。
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