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一次编程的记忆胞及其阵列结构与操作方法技术
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一种一次编程的记忆胞及其阵列结构与操作方法。该一次编程的记忆胞,包括:晶体管、第一变容器与第二变容器。晶体管具有栅极、源极与漏极。栅极连接至字线。源极连接至位线。第一变容器的第一端连接至晶体管的漏极,第二端连接至第一编程线。第二变容器的第一...
该专利属于力旺电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力旺电子股份有限公司授权不得商用。
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