本实用新型专利技术提供一种适合LED高密度封装的复合基板，所述复合基板包括铝基板、绝缘层、过渡层、线路层、基板焊盘和芯片焊盘；所述绝缘层为包覆所述铝基板的氧化铝膜；所述线路层包括若干相互独立的铜电镀线路块；所述基板焊盘与铜电镀线路块上端固定连接；所述芯片焊盘与基板焊盘电性连接；所述线路层复合于过渡层上，且该过渡层为附着在绝缘层表面的钛层；所述复合基板还包括用于阻断基板焊盘两两之间的阻焊层。铝基板表面为360°全方位包裹在铝基板上的氧化铝膜，绝缘性强且附着力强，同时能高效散热，适合高密度封装；本实用新型专利技术通过在绝缘层表面附着一含有钛的过渡层，附着力高且热导率高耐热性能性好。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED集成封装的基板领域，具体涉及一种适合LED高密度封装的复合基板。
技术介绍
现有的LED集成封装基板按材质主要有金属基板和陶瓷基板。一般金属基板的结构主要包括线路层，绝缘层和基材层，目前大部分金属基板的绝缘层均使用导热胶片压合成型，该导热胶片具有热导率差、耐温性能差等先天不足，无法适应LED高功率密度封装，同时金属基板的耐压绝缘测试性能较差，在部分对安规要求较高的情况下无法满足用户需求。陶瓷基板主要有氧化铝基板和氮化铝基板，其中氧化铝基板的导热系数只有20W/mK，高功率密度封装时无法保证散热需求，而氮化铝基板的导热系数可达170W/mK，但存在原材料价格昂贵，成型温度高，烧结质量难以保证等不足，无法大面积推广。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种高散热性的适合LED高密度封装的复合基板。为解决上述问题，本技术所采用的技术方案如下:—种适合LED高密度封装的复合基板，其特征在于，所述复合基板包括铝基板、绝缘层、过渡层、线路层、基板焊盘及芯片焊盘；所述绝缘层为包覆所述铝基板的氧化铝膜；所述线路层包括若干相互独立的铜电镀线路块；所述基板焊盘与铜电镀线路块上端固定连接；所述芯片焊盘与基板焊盘电性连接；所述过渡层的形状大小和位置与线路层相对应，所述线路层复合于过渡层上，且该过渡层为附着在绝缘层表面的钛层；所述复合基板还包括一阻焊层，所述阻焊层用于阻断基板焊盘两两之间的电性连接。作为优选，所述阻焊层为白油层。作为优选，所述阻焊层覆盖复合基板上除基板焊盘以外的表层。作为优选，所述绝缘层的厚度为5-100 μ m。作为优选，所述过渡层的厚度为5-10 μ m。作为优选，所述线路层的厚度为30-50 μ m。作为优选，所述复合基板还包括导线，所述芯片焊盘通过导线与基板焊盘电性连接。相比现有技术，本技术的有益效果在于:本技术在铝基板表面形成一层360°全方位包裹在铝基板上的氧化铝膜，绝缘性强且附着力强，同时能高效散热，适合高密度封装；本技术通过在绝缘层表面附着过渡层，附着力高且、热导率高耐热性能性好。下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细说明。【附图说明】图1为实施例1结构示意图；图2为实施例2结构示意图； 图3为实施例3结构示意图；附图1-3中，各附图标记:1、铝基板；2、绝缘层；3、过渡层；4、线路层；5、基板焊盘；6、阻焊层；7、芯片焊盘；8、LED芯片；9、导线。【具体实施方式】本技术提供一种适合LED高密度封装的复合基板，其特征在于，所述复合基板包括铝基板1、绝缘层2、过渡层3、线路层4、基板焊盘5及芯片焊盘7 ;所述绝缘层为包覆所述铝基板的氧化铝膜；该铝基板的高导热性和氧化的绝缘层的高绝缘性互补，使该复合基板更适合于LED高密度封装；所述线路层包括若干相互独立的铜电镀线路块；所述基板焊盘与铜电镀线路块上端固定连接；所述基板焊盘与铜电镀线路块上端固定连接；该线路层可根据所需线路布线图形通过蚀刻工艺进行加工，去除非布线所需的多余材料，完成线路布线；所述芯片焊盘与基板焊盘电性连接；所述过渡层的形状大小和位置与线路层相对应，所述线路层复合于过渡层上，且该过渡层为附着在绝缘层表面的钛层；所述复合基板还包括一阻焊层6，所述阻焊层用于阻断基板焊盘两两之间的电性连接；该阻焊层使基板焊盘裸露于该复合基板的表面，有效起到绝缘保护作用。实施例1如图1所示，一种适合LED高密度封装的复合基板，所述复合基板包括铝基板、绝缘层、过渡层、线路层、基板焊盘及芯片焊盘；所述绝缘层由铝基板阳板氧化形成，且所述绝缘层包覆所述铝基板，所述绝缘层的厚度为50 μ?? ;所述线路层包括两个铜电镀线路块；所述基板焊盘与铜电镀线路块上端固定连接，所述线路层的厚度为35 μπι ;所述芯片焊盘与基板焊盘电性连接；其中一芯片焊盘直接与LED芯片8的正极接触，另一芯片焊盘直接与LED芯片的负极接触；所述过渡层的形状大小和位置与线路层相对应，所述线路层复合于过渡层上，且该过渡层为采用离子溅射技术附着在绝缘层表面的钛层，所述过渡层的厚度为6 μπι ;所述复合基板还包括一阻焊层，所述阻焊层用于阻断基板焊盘两两之间的电性连接，如图1所示，所述阻焊层覆盖复合基板上除基板焊盘以外的表层。本实施例提供的适合LED高密度封装的复合基板，适用于倒装LED芯片的封装。倒装芯片工作时，其热量通过芯片焊盘传导至基板焊盘，然后快速通过金属材料制作的线路层和过渡层传导至绝缘层。绝缘层的导热系数为20W/mK，但其非常薄且散热面积大，可快速将热量传导至导热系数为240W/mK铝基板并向外散热出去，满足高功率密度封装的苛刻散热需求。实施例2如图2所示，一种适合LED高密度封装的复合基板，所述复合基板包括铝基板、绝缘层、过渡层、线路层、基板焊盘及芯片焊盘；所述绝缘层由铝基板阳板氧化形成，且所述绝缘层包覆所述铝基板，所述绝缘层的厚度为20 μ?? ;所述线路层包括两个铜电镀线路块；所述基板焊盘与铜电镀线路块上端固定连接，所述线路层的厚度为50 μπι ;如图2所示，其中一处芯片焊盘直接与基板焊盘接触，另一芯片焊盘通过导线9与基板焊盘电性连接；所述过渡层的形状大小和位置与线路层相对应，所述线路层复合于过渡层上，且该过渡层为采用离子溅射技术附着在绝缘层表面的钛层，所述过渡层的厚度为?ο μπι ;所述复合基板还包括一阻焊层，所述阻焊层用于阻断基板焊盘两两之间的电性连接，所述阻焊层覆盖复合基板上除基板焊盘以外的表层。本实施例提供的适合LED高密度封装的复合基板，适用于垂直LED芯片的封装。实施例3如图3所示，一种适合LED高密度封装的复合基板，所述复合基板包括铝基板、绝缘层、过渡层、线路层及基板焊盘；所述绝缘层由铝基板阳板氧化形成，且所述绝缘层包覆所述铝基板，所述绝缘层的厚度为100 μπι ;所述线路层包括三个铜电镀线路块；所述基板焊盘与铜电镀线路块上端固定连接，所述线路层的厚度为30 μ m ;如图3所示，两个芯片焊盘均通过导线与基板焊盘电性连接;所述过渡层的形状大小和位置与线路层相对应，所述线路层复合于过渡层上，且该过渡层为采用离子溅射技术附着在绝缘层表面的钛，所述过渡层的厚度为8 μπι ;所述复合基板还包括一阻焊层，所述阻焊层用于阻断基板焊盘两两之间的电性连接，所述阻焊层覆盖该复合基板除基板焊盘外的上表面。该阻焊层为白油层，白油对线路起绝缘保护作用，且白油层为高反射率材料，减少基板对光源发光的损耗；本实施例提供的适合LED高密度封装的复合基板，适用于正装LED芯片的封装，即LED芯片的正极或负极均位于上方。上述实施方式仅为本技术的优选实施方式，不能以此来限定本技术保护的范围，本领域的技术人员在本技术的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本技术所要求保护的范围。【主权项】1.一种适合LED高密度封装的复合基板，其特征在于，所述复合基板包括铝基板、绝缘层、过渡层、线路层、基板焊盘和芯片焊盘； 所述绝缘层为包覆所述铝基板的氧化铝膜； 所述线路层包括若干相互独立的铜电镀线路块；所述基板焊盘与铜电镀线路块上端固定连接；所述芯片焊盘与基板焊盘电性连接； 所述过本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种适合LED高密度封装的复合基板，其特征在于，所述复合基板包括铝基板、绝缘层、过渡层、线路层、基板焊盘和芯片焊盘；所述绝缘层为包覆所述铝基板的氧化铝膜；所述线路层包括若干相互独立的铜电镀线路块；所述基板焊盘与铜电镀线路块上端固定连接；所述芯片焊盘与基板焊盘电性连接；所述过渡层的形状大小和位置与线路层相对应，所述线路层复合于过渡层上，且该过渡层为附着在绝缘层表面的钛层；所述复合基板还包括一阻焊层，所述阻焊层用于阻断基板焊盘两两之间的电性连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：苏佳槟，肖浩，孙婷，刘俊达，李明珠，
申请(专利权)人：广州硅能照明有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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