本实用新型专利技术克服了现有技术存在的不足，提供了一种高电压LED封装结构，该结构在不改变现有封装流程的情况下，直接在封装体内串接三颗LED芯片，从而使白光成品正向电压分布在9～10V之间；为了解决上述技术问题，本实用新型专利技术采用的技术方案为：一种高电压LED封装结构，包括LED封装本体、LED芯片和LED支架，所述LED支架设置在LED封装本体上端，多颗所述LED芯片依次排列设置在LED支架上，并通过引线将相邻LED芯片上的金属焊垫连接，所述引线与金属焊垫之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片的电压为3V～3.4V；本实用新型专利技术可广泛应用于LED封装领域。
【技术实现步骤摘要】
本技术一种高电压LED封装结构，属于LED封装
技术介绍
LED是一种电光转换器件，它本身并不发光，只有在施加适当电压和通以适当电流时才能发光。LED有一个门限电压，只有加在LED两端的电压高于这个门限电压时，LED才会导通。普通硅二极管的导通门限为0.5?0.7V，而LED的门限电压通常为1.8?3.6V。LED的门限电压和正常工作时的正向电压降与LED的光色有关，红光、黄光等LED的正向电压降(VF)通常为1.8?2.4V，而白光LED的正向电压降通常为2.8?3.6V，低电压在成品应用时会出现电源转换效率低，发热量大等问题。
技术实现思路
本技术克服了现有技术存在的不足，提供了一种高电压LED封装结构，该结构在不改变现有封装流程的情况下，直接在封装体内串接三颗LED芯片，从而使白光成品正向电压分布在9?1V之间。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为:一种高电压LED封装结构，包括LED封装本体、LED芯片和LED支架，所述LED支架设置在LED封装本体上端，多颗所述LED芯片依次排列设置在LED支架上，并通过引线将相邻LED芯片上的金属焊垫连接，所述引线与金属焊垫之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片的电压为3V?3.4V。优选地，所述LED芯片的数量为3颗。优选地，三颗所述LED芯片电压的最高最低相差不超过0.2V。优选地，所述LED支架采用PCT磷铜材质。优选地，所述LED芯片与LED支架之间设置有高导热硅胶。本技术与现有技术相比具有的有益效果是:本技术增加LED的输入电压，降低了输入和输出的压差，提高了 AC/DC转换器的效率:变压器的效率就可以得到大大提高，从而可大幅降低AC-DC转换时的功率损失，这一热耗减少又可进一步降低散热外壳的成本；同时高压LED减少了元件数和焊点数，高压LED减小灯珠的占用率，减小了封装成本，提高了可靠性；且高压直流LED在封装或应用端采用桥式电路实现高压交流驱动，降低了应用端成本。【附图说明】下面结合附图对本技术做进一步的说明。图1为本技术的结构示意图。图中为LED封装本体、2为LED芯片、3为引线、4为金属焊垫、5为LED支架。【具体实施方式】如图1所示，本技术一种高电压LED封装结构，包括LED封装本体1、LED芯片2和LED支架5，所述LED支架5设置在LED封装本体I上端，多颗所述LED芯片2依次排列设置在LED支架5上，并通过引线3将相邻LED芯片2上的金属焊垫4连接，所述引线3与金属焊垫4之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片2的电压为3V?3.4V。所述LED芯片2的数量为3颗。三颗所述LED芯片2电压的最高最低相差不超过0.2V。所述LED支架5采用PCT磷铜材质。所述LED芯片2与LED支架5之间设置有高导热硅胶。由于应用端输入电压为220V，低电压灯珠在使用时须多灯串联加变压器使用，使用过程功耗高且转化效率低。本技术在封装后灯珠电压分布在9?10V，高压LED只要20个串联就是200V，和220V只差20V。而用低压LED，即使是20个串联正向压降也只有60V，和220V相差很大。所以，如采用高压LED，变压器的效率就可以得到大大提高，从而可大幅降低AC-DC转换时的功率损失，这一热耗减少又可进一步降低散热外壳的成本。上面结合附图对本技术的实施例作了详细说明，但是本技术并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本技术宗旨的前提下作出各种变化。【主权项】1.一种高电压LED封装结构，其特征在于:包括LED封装本体(1)、LED芯片(2)和LED支架(5 )，所述LED支架(5 )设置在LED封装本体(I)上端，多颗所述LED芯片(2 )依次排列设置在LED支架(5)上，并通过引线(3)将相邻LED芯片(2)上的金属焊垫(4)连接，所述引线(3)与金属焊垫(4)之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片(2)的电压为3V?3.4V。2.根据权利要求1所述的一种高电压LED封装结构，其特征在于:所述LED芯片(2)的数量为3颗。3.根据权利要求2所述的一种高电压LED封装结构，其特征在于:三颗所述LED芯片(2)电压的最高最低相差不超过0.2V。4.根据权利要求3所述的一种高电压LED封装结构，其特征在于:所述LED支架(5)采用PCT磷铜材质。5.根据权利要求4所述的一种高电压LED封装结构，其特征在于:所述LED芯片(2)与LED支架(5)之间设置有高导热硅胶。【专利摘要】本技术克服了现有技术存在的不足，提供了一种高电压LED封装结构，该结构在不改变现有封装流程的情况下，直接在封装体内串接三颗LED芯片，从而使白光成品正向电压分布在9～10V之间；为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种高电压LED封装结构，包括LED封装本体、LED芯片和LED支架，所述LED支架设置在LED封装本体上端，多颗所述LED芯片依次排列设置在LED支架上，并通过引线将相邻LED芯片上的金属焊垫连接，所述引线与金属焊垫之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片的电压为3V～3.4V；本技术可广泛应用于LED封装领域。【IPC分类】H01L33/48, H01L25/075, H01L33/62, H01L33/64【公开号】CN204720473【申请号】CN201520350582【专利技术人】徐龙飞 【申请人】长治虹源光电科技有限公司【公开日】2015年10月21日【申请日】2015年5月28日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高电压LED封装结构，其特征在于：包括LED封装本体（1）、LED芯片（2）和LED支架（5），所述LED支架（5）设置在LED封装本体（1）上端，多颗所述LED芯片（2）依次排列设置在LED支架（5）上，并通过引线（3）将相邻LED芯片（2）上的金属焊垫（4）连接，所述引线（3）与金属焊垫（4）之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片（2）的电压为3V～3.4V。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐龙飞，
申请(专利权)人：长治虹源光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山西;14
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