半导体发光元件制造技术

本发明专利技术涉及半导体发光元件。根据一个实施方案，半导体发光元件包括第一电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一绝缘部和第一导电层。第一电极包括第一区域和第二区域。第一半导体层与第一区域隔开，并包括第一部分和第二部分。第二部分和第一区域之间设置发光层。第二半导体层设置在发光层和第一区域之间。第二电极设置在第一区域和第二半导体层之间，以接触第二半导体层。第一绝缘部设置在第一区域和第二电极之间。第一导电层设置在第一部分和第一区域之间，并包括与第一部分相接触的接触部。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】半导体发光元件相关申请的交叉引用本申请基于在2014年3月17日提交的日本专利申请N0.2014-054157，并要求其优先权，所述专利申请的全文内容援引并入本申请中。
本申请所描述的实施方案主要涉及半导体发光元件。技术背景提高发光二极管(LED)等半导体发光元件的效率是所期望的。【附图说明】图1是示出根据实施方案的半导体发光元件的示意性横截面视图；图2是根据本实施方案的半导体发光元件的示意性平面图；图3是根据本实施方案的半导体发光元件的一部分的示意性横截面视图；图4A到图4C是依照加工顺序示出根据本实施方案的半导体发光元件的制造方法的示意性横截面视图；图5A和图5B是依照加工顺序示出根据本实施方案的半导体发光元件的制造方法的示意性横截面视图；图6是根据本实施方案的另一种半导体发光元件的示意性横截面视图；图7是根据本实施方案的半导体发光元件的特性的图；图8是根据本实施方案的半导体发光元件的特性的图；图9是根据本实施方案的半导体装置的一部分的示意性横截面视图；并且图10是示出采用根据本实施方案的半导体发光元件的发光装置的示意性横截面视图。【专利技术内容】根据一个实施方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体发光元件，其包括：第一电极，其包括第一区域和第二区域，第二区域和第一区域被一起设置在第一方向上；第一导电类型的第一半导体层，其与第一区域在与第一方向交叉的第二方向上隔开，第一半导体层包括第一部分和第二部分，第二部分和第一部分在与所述第二方向交叉的方向上被一起设置；发光层，其设置在所述第二部分和所述第一区域之间；第二导电类型的第二半导体层，其设置在所述发光层和所述第一区域之间；第二电极，其设置在所述第一区域和所述第二半导体层之间，以接触所述第二半导体层；第一绝缘部，其设置在所述第一区域和所述第二电极之间；以及第一导电层，其设置在所述第一部分和所述第一区域之间，所述第一导电层包括与第一部分相...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤俊秀，大野浩志，布上真也，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP