【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体存储
,具体而言涉及。
技术介绍
相变存储器(phase change memory, PCM)作为一种非易失存储器,由于其在读写 速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面的优势,在半导体存储技术 领域中得到了广泛的应用。现有技术中的一种相变存储器的结构如图1所示,包括位于半 导体衬底100上的字线(word line) 1001、位线(bit line) 1002、选通二极管11和相变电 阻12。其中,在相变存储器中,通常还包括用于隔离选通二极管11的双沟槽隔离结构(dual trench isolated structure)。现有技术的主要挑战在于,如何在与标准CMOS工艺完全兼 容的情况下制备双沟槽隔离结构。 现有技术中的相变存储器的制造方法,主要包括如下步骤: 步骤E1:提供包括内核区域与外围区域的半导体衬底,在半导体衬底的内核区域 内形成重掺杂的埋入式字线。 示例性地,半导体衬底为P型衬底,字线为N+掺杂。 步骤E2 :在半导体衬底上形成外延层(epitaxial layer)。 步骤E3:在内 ...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法,其特征在于,所述方法包括:步骤S101:提供包括内核区域与外围区域的半导体衬底,在所述内核区域内形成埋入式字线;步骤S102:在所述半导体衬底上形成外延层;步骤S103:在所述内核区域和所述外围区域分别形成浅沟槽隔离,其中所述浅沟槽隔离的底部不高于所述外延层的下表面;步骤S104:在所述内核区域形成沿着与所述浅沟槽隔离延伸方向相垂直的方向延伸的深沟槽隔离,其中所述深沟槽隔离的底部不高于所述字线的下表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张超,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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