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本发明提供一种半导体器件的制造方法,涉及半导体存储技术领域。本发明的半导体器件的制造方法,将形成双沟槽隔离结构的工艺集成在标准的CMOS工艺之中,简化了半导体器件的制造工艺;并且,通过先形成浅沟槽隔离后形成深沟槽隔离的工艺优化,降低了在形成...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种半导体器件的制造方法,涉及半导体存储技术领域。本发明的半导体器件的制造方法,将形成双沟槽隔离结构的工艺集成在标准的CMOS工艺之中,简化了半导体器件的制造工艺;并且,通过先形成浅沟槽隔离后形成深沟槽隔离的工艺优化,降低了在形成...