非易失性存储器件的形成方法技术

技术编号:12029243 阅读:90 留言:0更新日期:2015-09-10 15:04
一种非易失性存储器件的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有硬掩膜层,所述硬掩膜层中具有若干第一开口,第一开口暴露出半导体衬底的表面;沿第一开口刻蚀所述半导体衬底,在半导体衬底中形成若干凹槽;在第一开口和凹槽中填充满隔离材料,形成浅沟槽隔离结构;去除所述硬掩膜层,在相邻浅沟槽隔离结构之间形成第二开口,第二开口暴露出半导体衬底;对第二开口底部的半导体衬底进行氮元素注入;在进行氮元素注入后的半导体衬底上形成浮栅氧化层;在所述浮栅氧化层上形成浮栅。本发明专利技术的方法形成的浮栅氧化层的中间区域和边缘区域的厚度的差异较小,浮栅氧化层的厚度均匀性提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作领域,特别涉及一种。
技术介绍
非易失性存储器NVM (Non-Volatile Memory)的特点是在断电时不会丢失内容。闪速存储器(Flash Memory)就是一类非易失性存储器,即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息;而诸如DRAM (Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)、SRAM(Static Random-Access Memory,静态随机存取存储器)这类易失性存储器,当供电电源关闭时片内信息随即丢失。闪速存储器及其它类非易失性存储器的特点,与EPR0M(ErasabIeprogrammable read only memory,可擦可编程只读存储器)相比较,闪速存储器具有明显的优势一在系统电可擦除和可重复编程,而不需要特殊的高电压(某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作);与EEPROM (Electrically erasableprogrammable read only memory,电可擦可编程只读存储器)相比较,闪速存储器具有成本低、密度大的特点。参考图1,图1为现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器件的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有硬掩膜层,所述硬掩膜层中具有若干第一开口,第一开口暴露出半导体衬底的表面;沿第一开口刻蚀所述半导体衬底,在半导体衬底中形成若干凹槽;在第一开口和凹槽中填充满隔离材料,形成浅沟槽隔离结构;去除所述硬掩膜层,在相邻浅沟槽隔离结构之间形成第二开口,第二开口暴露出半导体衬底;对第二开口底部的半导体衬底进行氮元素注入;在进行氮元素注入后的半导体衬底上形成浮栅氧化层;在所述浮栅氧化层上形成浮栅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:曹恒金龙灿杨海玩仇圣棻
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司中芯国际集成电路制造北京有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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