【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
FLASH(闪存)，因为具备高密度、大容量等优点而成为目前闪存类型的主流之一，并广泛地应用于数码相机，智能手机等电子产品中。然而半导体元件为了达到降低成本和简化工艺步骤的需求，将晶胞区与周边区的元件整合在同一芯片上已逐渐成为一种趋势，例如将闪存与逻辑元件整合在同一芯片上，则称之为嵌入式闪存(EFLASH)。对于90nm级的嵌入式闪存制备工艺中，其在栅极和栅极侧墙沉积完成后，需要去除栅极侧墙边角下的自然氧化层和多晶硅层，由于自然氧化层的厚度较薄，通常小于350A。如图1所示，现有技术中是采用CFJt为刻蚀气体去除栅极I和栅极侧墙2之间的自然氧化层3，在刻蚀过程中，由于自然氧化层3较薄而刻蚀速度较快，难以控制刻蚀精度，因此，刻蚀的开口 4的轮廓难以控制，使得刻蚀过程侧墙底部侧壁倾斜即造成跟切现象，后续刻蚀多晶硅层时，刻蚀速度更快，跟切现象更为明显，大大影响后续EFLASH的电学性能。因此，如何对多晶硅轮廓进行精确控制以提高EFLASH的电学性能，是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
...
【技术保护点】
一种对多晶硅轮廓进行控制的方法，其特征在于，包括：提供衬底，该衬底上沉积有多晶硅层和自然氧化层；在所述衬底上形成栅极和栅极侧墙；采用含氯气体作为刻蚀气体对栅极侧墙之间的自然氧化层进行刻蚀，以形成开口；接着刻蚀多晶硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王百钱，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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