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本发明公开了一种对多晶硅轮廓进行控制的方法，包括：提供衬底，该衬底上设置有多晶硅层和自然氧化层；在所述衬底上形成栅极和栅极侧墙；采用含氯气体作为刻蚀气体对两栅极的侧墙之间的自然氧化层进行刻蚀，以形成开口；接着刻蚀多晶硅层。本发明采用含氯气体...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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