半导体发光器件及其制造方法技术

本公开涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层，该多个半导体层在其第一半导体层所位于的一面设置有生长基板去除面；支撑基板，该支撑基板设置有第一电力路径和第二电力路径，第一电力路径和第二电力路径从第二面连接到第一面；结合层，该结合层将该支撑基板的第一面侧与多个半导体层的第二半导体层侧结合，并且与第一电力路径电链接；结合层去除面，该结合层去除面形成在第一面上，露出第二电力路径，并且朝向多个半导体层开口；以及电链接件，该电链接件用于将多个半导体层与露出在结合层去除面上的第二电力路径连接，使得电子或空穴中的一方被转移到多个半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本公开涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层，该多个半导体层在其第一半导体层所位于的一面设置有生长基板去除面；支撑基板，该支撑基板设置有第一电力路径和第二电力路径，第一电力路径和第二电力路径从第二面连接到第一面；结合层，该结合层将该支撑基板的第一面侧与多个半导体层的第二半导体层侧结合，并且与第一电力路径电链接；结合层去除面，该结合层去除面形成在第一面上，露出第二电力路径，并且朝向多个半导体层开口；以及电链接件，该电链接件用于将多个半导体层与露出在结合层去除面上的第二电力路径连接，使得电子或空穴中的一方被转移到多个半导体层。【专利说明】
本公开总体涉及半导体发光器件或元件及其制造方法。更具体地说，本公开涉及具有位于支撑基板上的电传递通道的。 在这里的背景下，术语“半导体发光器件”旨在指一种经由电子-空穴复合而产生光的半导体发光器件，并且其典型示例是III族氮化物半导体发光器件。III族氮化物半导体由 Al (X) Ca(y) In(l_x-y)N(0 = x = I, O = y = I, O = x+y = I)组成。其另一个示例是用于发红光的基于GaAs的半导体发光器件。
技术介绍
该部分提供与不必是现有技术的本公开有关的背景信息。 图1是例示现有技术中的半导体发光器件(横向芯片)的一个示例的图，其中，半导体发光器件包括基板100，并且缓冲层200、具有第一导电性的第一半导体层300、用于通过电子空穴复合产生光的有源层400、和具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层500，缓冲层200、第一半导体层300、有源层400和第二半导体层500按照上述顺序沉积在基板100上，以及另外，用于电流散布的光透射导电膜600并且在光透射导电膜600上形成有充当焊盘的电极700，并且在第一半导体层300的蚀刻露出部上有形成充当焊盘的电极800。 图2是例示现有技术中的半导体发光器件(倒装芯片)的另一个示例的图，其中，半导体发光器件包括基板100，并且具有第一导电性的第一半导体层300、用于通过电子空穴复合产生光的有源层400、和具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层500，第一半导体层300、有源层400和第二半导体层500按照上述顺序沉积在基板100上，以及另外，在第二半导体层500上形成有用于朝向基板100反射光的三层电极膜，即，电极膜901、电极膜902和电极膜903，并且在第一半导体层300的蚀刻露出部上形成有充当焊盘的电极800。 图3是例示现有技术中的半导体发光器件(垂直芯片)的又一个示例的图，其中，半导体发光器件包括具有第一导电性的第一半导体层300、用于通过电子空穴复合产生光的有源层400、和第二半导体层500(该第二半导体层500具有与第一导电性不同的第二导电性，第一半导体层300、有源层400和第二半导体层500按照上述顺序沉积)，并且另外，在第二半导体层500上形成有用于朝向第一半导体层300反射光的金属反射膜910，并且在支撑基板930侧上形成有电极940。金属反射膜910和支撑基板930经由晶片结合层920接合到一起。在第一半导体层300上形成有充当焊盘的电极800。 图4和图5例示现有技术中的半导体发光器件的进一步的示例。如图4所例示，图2所示的半导体发光器件(倒装芯片)安装在布线板(1000)上，然后，如图5所示去除基板100，从而获得半导体发光器件(垂直芯片；其这样命名，以指示已经去除了基板100)。具体地，该半导体发光器件可以通过对电极膜901、902和903和电极图案1010进行对准，随后对电极800与电极图案1020进行对准而获得。然后，该半导体发光器件使用凸块、糊状物或易熔金属950和960安装在布线板1000上，并且借助激光来去除基板100。 然而，因为上述处理需要以在芯片级别执行，所以处理变长且变得复杂，并且电极膜901、902和903、电极800和电极图案1010和1020的对准也带来困难。除此之外，与以芯片级别进行磷光剂涂布关联的成本增加造成另一问题。 因此，虽然芯片级别的TFFC(薄膜倒装芯片)技术的商业化代表半导体发光器件的高水平制造技术，但是另一方面，其也公开地表明尚未容易地进行这种技术以晶片级别的应用。为了以晶片级别应用该概念，已经提出许多建议。然而，未提出这样:其可以大致克服电极膜901、902和903、电极800与电极图案1010和1020的对准困难，以及在晶片级别结合操作之后，在去除基板100期间和后续处理中的半导体层200、300和400中出现的破裂。
技术实现思路
技术问题 本公开所解决的问题将在之后【具体实施方式】部分中描述。 技术方案 该部分提供本公开的总体总结并且不是其全部范围或所有其特征的综合公开。 有益效果 本公开的有益效果将在后面【具体实施方式】部分中描述。 根据本公开的一个方面，提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括多个半导体层，该多个半导体层顺序生长在生长基板上，所述多个半导体层包括第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电性和形成在其一侧的生长基板去除面、第二半导体层，该第二半导体层具有与所述第一导电性不同的第二导电性、以及有源层，该有源层插入在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，经由电子空穴复合产生光；支撑基板，该支撑基板具有第一面和与所述第一面相反的第二面，其中，第一电传递通道和第二电传递通道从所述第二面持续到所述第一面，经由该第一电传递通道电子或空穴被转移到多个半导体层，未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴经由该第二电传递通道被转移到多个半导体层；结合层，该结合层将所述多个半导体层的所述第二半导体层侧与所述支撑基板的所述第一面侧结合，并且与所述第一电传递通道电连接；结合层去除面，该结合层去除面形成在所述第一面上，露出所述第二电传递通道，并且朝向所述多个半导体层开口 ；以及电连接件，该电连接件用于将所述多个半导体层与露出在所述结合层去除面上的所述第二电传递通道电连接，使得未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴转移到所述多个半导体层。 根据本公开的另一个方面，提供了一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括以下步骤:制备多个半导体层，该多个半导体层顺序生长在生长基板上，所述多个半导体层包括:第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电性和形成在其一侧上的生长基板去除面；第二半导体层，该第二半导体层具有与所述第一导电性不同的第二导电性；以及有源层，该有源层插入在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，经由电子空穴复合产生光；制备支撑基板，该支撑基板具有第一面和与所述第一面相反的第二面，其中，设置第一电传递通道和第二电传递通道，经由该第一电传递通道电子或空穴被转移到多个半导体层，未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴)经由该第二电传递通道被转移到多个半导体层；将所述生长基板的相反侧上的所述多个半导体层与所述支撑基板的所述第一面侧结合，使得结合层形成在所述结合区域上，并且所述第一电传递通道经由所述结合层连接到所述多个半导体层；去除所述基板；去除所述结合层，以使所述第二电传递通道露出；将所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层，该多个半导体层顺序生长在生长基板上，所述多个半导体层包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电性和形成在其一侧的生长基板去除面；第二半导体层，该第二半导体层具有与所述第一导电性不同的第二导电性；以及有源层，该有源层插入在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，经由电子空穴复合产生光；支撑基板，该支撑基板具有第一面和与所述第一面相反的第二面，其中，第一电传递通道和第二电传递通道从所述第二面持续到所述第一面，经由该第一电传递通道，电子或空穴被转移到所述多个半导体层，未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴经由该第二电传递通道被转移到所述多个半导体层；结合层，该结合层将所述多个半导体层的第二半导体层侧与所述支撑基板的第一面侧结合，并且与所述第一电传递通道电连接；结合层去除面，该结合层去除面形成在所述第一面上，露出所述第二电传递通道，并且朝向所述多个半导体层开口；以及电连接件，该电连接件用于将所述多个半导体层与露出在所述结合层去除面上的所述第二电传递通道电连接，使得未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴转移到所述多个半导体层。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：安相贞，
申请(专利权)人：安相贞，
类型：发明
国别省市：韩国;KR