半导体发光单元连接体制造技术

本公开涉及一种半导体发光单元连接体，该半导体发光单元连接体包括：第一发光单元，该第一发光单元的下部中形成有电流供应层；第二发光单元，该第二发光单元的下部中形成有电流供应层，该电流供应层与所述第二发光单元相连接；连接板，该连接板具有放置所述第一发光单元的导电部分和放置所述第二发光单元的导电部分；以及电气通道，该电气通道用于电连接所述第一发光单元和所述第二发光单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光单元连接体
本公开总体上涉及具有半导体发光单元的连接体，并且更具体地说，涉及一种串联和/或并联连接了多个半导体发光单元或部件的连接体。
技术介绍
此部分提供了不必是现有技术的、与本公开有关的背景信息。图1是例示了采用发光二极管的灯的示例的视图，其中，发光系统100具有整流器110、调节器120，以及灯部分，所述灯部分包括多个串联连接的发光二极管A和B。所施加的电力在被馈送至所述多个串联连接的发光二极管A和B之前经历整流和滤波操作。图2是例示了发光二极管的串联连接的示例的视图，其中，设置了基板200(例如，蓝宝石基板)、发光部件或发光二极管A，以及发光部件或发光二极管B。发光二极管A和B中的每一个都包括n型半导体层210(例如，GaN)、有源层220(例如，InGaN)、p型半导体层230(例如，GaN)。该p型半导体层230设置有p侧电极240，而该n型半导体层设置有n侧电极250。对于发光部件A和B的串联连接来说，在电介质层280的顶部铺设的金属层270连接了发光部件A的p侧电极240和发光部件B的n侧电极250。图3是例示了串联连接的发光二极管的另一示例的视图，其中，封装件或灯300具有发光部件A、发光部件B、施加在发光部件A和B上的荧光体(phosphor)膜310，以及形成在荧光体膜310上的透镜320。发光部件A和发光部件B可以通过导线330串联连接，而且它们可以借助于导线340和350电连接至外部。可能需要额外的导线330将具有相同构造的那些发光部件A和B连接在一起。图4是例示了串联连接的发光二极管的又一示例的视图，其中，集成单片式发光二极管芯片400包括基板493和在基板493上方串联连接的发光部件A、B、C。发光部件A、B、C皆具有n型半导体层410、有源层420，以及p型半导体层430，但它们并不像图2的发光二极管那样具有绝缘基板200。n侧焊盘440、导电层491、淀积金属膜470，以及p侧焊盘450在发光部件A、B、C的串联连接中全部涉及。在尚未说明的其它部件当中，标号480指示电介质层，而标号490指示用于反射在有源层420中产生的光的反射膜。然而，制造如上所述构造的这种单片式发光二极管芯片400遭遇几个缺点，就是说，需要许多工艺来串联连接那些发光部件A、B、C，任何发光部件中的问题都可能导致针对整个单片式发光二极管芯片400的问题，制造工艺困难，无法确保工艺的可靠性等。
技术实现思路
技术问题要通过本公开解决的问题将在用于执行本专利技术的具体实施方式的后面部分中进行描述。解决方案此部分提供了本公开的一般性概要，并且其全部范围或其所有特征的全面公开。根据本公开的一个方面，提供了一种半导体发光单元连接体，该半导体发光单元连接体包括：第一发光单元，该第一发光单元包括第一导电类型的第一半导体层、与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，以及形成在底部的电流供应层；第二发光单元，该第二发光单元包括第一导电类型的第一半导体层、与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，以及形成在底部并延伸到所述第二发光单元中的电流供应层；连接板，所述第一发光单元和所述第二发光单元固定至该连接板，该连接板具有放置所述第一发光单元的导电部分和放置所述第二发光单元的导电部分；以及电气通道，该电气通道用于将所述第一发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个与所述第二发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个电连接，其中，被电连接的半导体层具有彼此不同的导电类型。有利效果本公开的有利效果将在用于执行本专利技术的具体实施方式的后面部分中进行描述。附图说明图1是例示采用发光二极管的灯的示例的视图。图2是例示串联连接的发光二极管的一示例的视图。图3是例示串联连接的发光二极管的另一示例的视图。图4是例示串联连接的发光二极管的又一示例的视图。图5是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的一实施例的视图。图6是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的另一实施例的视图。图7是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的又一实施例的视图。图8是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的又一实施例的视图。图9是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的一实施例的视图。图10是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的另一实施例的视图。图11是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。图12是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。图13是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。图14是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。图15是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。图16是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。具体实施方式下面，参照附图对本公开进行详细描述。图5是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的一实施例的视图，其中，发光单元或部件A和发光单元或部件B串联连接，以形成连接体或连接组件。与图4中的发光部件A和B不同，该实施例中的发光部件A和发光部件B是通过分离芯片工艺制备的单个芯片。同样地，发光部件简单地附接至连接板30并一起形成连接组件，而不需要经历任何复杂工艺。尽管连接板30可能涉及导电层31以电连接发光部件A和B，但是可以在连接板30由导电材料制成的情况下省略导电层31。连接板30可以是PCB，封装件情况下的引线框，上面形成有导电图案的板，具有通过掺杂形成的图案的诸如硅酮的半导体，或者具有导电层31的次载片(submount)，或者还可以包括导电层31与连接板30之间的次载片(这种构造可以有用于图8中的构造)。同时，不太可能的是，发光部件A和B在它们的制造工艺期间都被焊接至连接板30，而且一个也不可能。例如，导电层31是表征附着力、热传递、光反射以及电导率的特性的材料体系，其可以由从Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、Pt、Rh、Mo、Si、Ge、Sn以及In中选择的材料形成，或者由包含这些材料中的至少一种的任何合金、复合体或固溶体形成。导电层31是表征热传递、结构稳定性以及附着力的特性的材料体系，其可以由从Al、Cu、Si、Mo，以及Be中选择的材料形成，或者由包含这些材料中的至少一种的任何氧化物、氮化物或碳化物形成。发光部件A是所谓的垂直发光二极管。垂直发光二极管在此指示通过以下工艺获得的发光二极管：在例如通过MOCVD在合适基板(例如，蓝宝石、SiC、Si、AlN、AlGaN、GaN)上生长半导体层11、12以及13，接着通过激光或湿蚀刻去除该基板，跟着是在半导体层11和13的任一侧上形成电极14、15。有源层13经由电子-空穴复合而产生光。为发射UV、蓝光或绿光，III族氮化物(例如，InGaN、GaN、AlGaInN)通常被用作有源层13的材料。在光发射中涉及的半导体层13通常成为n型半导体层，而相对侧上的半导体层11则成为p型半导体层，但这可以反过来。电极15用于向半导体层11扩散电流，并且其本性可以透光或者充当反射膜。其同样本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光单元连接体，该半导体发光单元连接体包括：第一发光单元，该第一发光单元包括第一导电类型的第一半导体层，与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，以及形成在底部的电流供应层；第二发光单元，该第二发光单元包括第一导电类型的第一半导体层、与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，以及形成在底部并延伸到所述第二发光单元中的电流供应层；连接板，所述第一发光单元和所述第二发光单元固定至该连接板，该连接板具有放置所述第一发光单元的导电部分和放置所述第二发光单元的导电部分；以及电气通道，该电气通道用于将所述第一发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个与所述第二发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个电连接，其中，被电连接的半导体层具有彼此不同的导电类型。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.26 KR 10-2011-00741911.一种半导体发光单元连接体，该半导体发光单元连接体包括：第一发光单元，该第一发光单元包括第一导电类型的第一半导体层，与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，利用生长基板生长所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层，以及用于在去除所述生长基板期间保护所述第一发光单元的支承基板；第二发光单元，该第二发光单元被制备为通过单独芯片工艺而独立于所述第一发光单元的单个芯片并且包括第一导电类型的第一半导体层、与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，利用生长基板生长所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层，以及形成在底部并延伸到所述第二发光单元中的电极；连接板，所述第一发光单元和所述第二发光单元固定至该连接板，该连接板具有放置所述第一发光单元的所述支承基板的导电部分和放置所述第二发光单元的导电部分；以及电气通道，该电气通道用于将所述第一发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个与所述第二发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个电连接，其中，被电连接的半导体层具有彼此不同的导电类型。2.根据权利要求1所述的半导体发光单元连接体，其中，所述第二发光单元的所述电极在所述有源层的下面延伸。3.根据权利要求2所述的半导体发光单元连接体，其中，所述电气通道形成在所述连接板处。4.根据权利要求1所述的半导体发光单元连接体，其中，所述第二发光单元的所述电极在所述有源层的上面延伸。5.根据权利要求4所述的半导体发光单元连接体，其中，所述电气通道形成在所述连接板处。6.根据权利要求4所述的半导体发光单元连接体，其中，所述电气通道由导线形成。7.根据权利要求6所述的半导体发光单元连接体，其中，在所述连接板中，所述第一发光单元和所述第二发光单元彼此电绝缘。8.根据权利要求6所述的半导体发光单元连接体，其中，所述第二发光单元包括额外电极，所述导线在所述有源层的下面焊接至该额外电极。9.根据权利要求4所述的半导体发光单元连接体，其中，在所述第一发光单元中，所述第二半导体层位于所述支承基板的与所述有源层相对的相对侧上，其中，在所述第二发光单元中，所述第二半导体层位于所述电极的与所述有源层相对的相对侧上，并且其中，作为独立于所述第一发光单元的单个芯片的所述第二发光单元包括用于在去除所述生长基板期间保护所述第二发光单元的支承基板。10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：安相贞，
申请(专利权)人：安相贞，
类型：发明
国别省市：韩国;KR