半导体发光器件制造技术

本公开涉及半导体发光器件(LIGHT EMITTING DEVICE)，包括：具备电极的半导体发光芯片；模具，其形成为具有第一表面粗糙度，并且具有用于放置半导体发光芯片的底面部，在底面部形成有贯通孔，贯通孔的表面具有与第一表面粗糙度不同的第二表面粗糙度，至少与半导体发光芯片相对的一侧由对于从半导体发光芯片发出的光具有95％以上的反射率的材质构成；以及导电部，其为了与电极的电气性连通，设置于贯通孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光器件
本公开(Disclosure)总体上涉及半导体发光器件(LIGHTEMITTINGDEVICE)，尤其涉及发射紫外线的半导体发光器件。
技术介绍
在这里提供涉及本公开的
技术介绍
，但是并不表示这些一定是公知技术(Thissectionprovidesbackgroundinformationrelatedtothepresentdisclosurewhichisnotnecessarilypriorart)。图1是美国注册专利公报第9,773,950号公开的半导体发光器件的一例示意图，示出了CSP(Chip-ScaledPackage：芯片尺寸封装)方式的半导体发光器件。半导体发光器件包括半导体发光芯片2、密封剂4以及反射体6(例如：白色PSR)。半导体发光芯片2具备电极80以及电极90，密封剂4具备倾斜面4b，从而能够调节从半导体发光芯片2射出的光的出射角。将白色的PSR丝网印刷或者旋涂之后，通过一般的光刻工序进行构图，从而可以形成反射体6。根据需要，为了实现与外部的电连接，通过蒸镀工序形成外部电极81和外部电极91。图2是美国注册专利公报第10,008,648号公开的半导体发光器件的一例示意图，示出了如下半导体发光器件200：为了解决利用图1示出的反射体6的情况下出现的问题、即反射体6由与白色PSR相同的柔性(flexible)材质构成而在执行多个工序的过程中半导体发光芯片2的位置准确度下降的问题，进行预成型(preformed)，并且利用坚硬(rigid)材质的框架和模具210(例如：注射成型的模具)。半导体发光器件200包括模具210、半导体发光器件芯片220以及密封剂230。标记211是侧壁，标记212是底面部，标记213是孔，标记214是腔体，215是底面部212的上表面，标记216底面部212的下表面，标记217是侧壁211的外表面，标记218是侧壁211的内表面，标记219是底面部212的高度，标记H是侧壁211的高度，标记221是电极，标记222是半导体发光芯片220的高度，标记231是光转换剂(例如：荧光体)，标记240是孔213的侧壁。这样的半导体发光器件在具备模具210这一点上与现有的SMD(Surface-MountedDevice：表面安装器件)类型半导体发光器件(例如：美国注册专利公报US6066,861号)相同，但是，区别在于不具备引线框架和引线电极，如上所述，能够解决图1示出的半导体发光器件的问题，另一方面能够解决引线框架参与与外部基板的接合而出现的问题(接合不良等)。图3是韩国公开专利公报第10-2018-0131303号公开的半导体发光器件的一例示意图，公开了解决利用图1示出的反射体6时出现的问题的另一方式的半导体发光器件。半导体发光器件具备模具113以及半导体发光芯片123。模具113设置有导电部TH1和导电部TH2，导电部TH1和导电部TH2可以以导电性糊剂或焊料物质形成。标记C是腔体，标记121、122分别是电极，标记131可以是外部基板(例如：PCB)、次载具(servemount)等。在不具备引线框架和引线电极这一点上与图2示出的半导体发光器件相同，但是在外部基板131与半导体发光芯片123的物理以及电气性接合加入了导电部TH1和导电部TH2，因此如图2中指出，有可能引发在SMT工序等中物理结合力弱而接合掉落或者导电部TH1和导电部TH2从模具113脱落等问题。需要说明的是，图2示出的半导体发光器件去除了引线框架和引线电极从而具有消除了引线框架和引线电极吸收的光的优点，但是，图3示出的半导体发光器件从根源上封闭了向模具113的下方露出的光从而具有在半导体发光芯片123生成的所有光向上侧发射的优点。整理发光二极管封装的发展过程，则横向芯片(lateralchip)引线焊接于SMD类型的封装包使用，之后随着高亮度(high-power)以及高电压(high-voltage)器件的要求，研究出倒装芯片(chipchip)的使用，但是被指出了不适合SMD类型的封装包的问题，并且采用着图1示出的CSP类型的封装包的一部分，但是如上所述，对指向角的调节以及制造工序指出了问题，如图2以及图3示出，目前正在研究着不具备引线框架和引线电极的方式的无引线框架或者模具类型的发光二极管封装。但是，根据图3示出的半导体发光器件，为了形成导电部TH1和导电部TH2，在制造(例如：注射成型)模具113时，一起形成与导电部TH1和导电部TH2对应的孔，注射成型的孔具有与模具的表面粗糙度对应的光滑的表面，所以具有与通过之后的蒸镀或者镀金等形成的导电部TH1和导电部TH2的物理结合力不高的问题。
技术实现思路
技术课题在“具体实施方式”的后面说明技术问题。解决课题的手段在这里，提供本公开的总体摘要(Summary)，不应该理解为用于限制本公开的范围(Thissectionprovidesageneralsummaryofthedisclosureandisnotacomprehensivedisclosureofitsfullscopeorallofitsfeatures)。根据本公开的一方面(Accordingtooneaspectofthepresentdisclosure)，公开半导体发光器件，其包括：具备电极的半导体发光芯片；模具，其形成为具有第一表面粗糙度，且具备用于放置半导体发光芯片的底面部，在底面部形成有表面具有与第一表面粗糙度不同的第二表面粗糙度的贯通孔，上述模具中至少与半导体发光芯片相对的一侧由对于从半导体发光芯片发出的光具有95％以上的反射率的材质构成；以及导电部，其为了与电极的电气性连通，设置于贯通孔。根据本公开的另一方面(Accordingtoanotheraspectofthepresentdisclosure)，公开制造半导体发光器件的方法，上述半导体发光器件包括：具备电极的半导体发光芯片、具有放置半导体发光芯片的底面部且在底面部形成有贯通孔的模具以及为了与电极的电气性连通而设置于贯通孔的导电部，半导体发光器件的制造方法包括：准备引线框架的步骤，引线框架形成有多个上述模具且在从多个模具露出的区域形成有防电镀膜；在每个模具形成导电部，使半导体发光芯片的电极与导电部电气性连通的步骤；以及切断引线框架，将每个半导体发光器件个别化的步骤。根据本公开的又一方面(Accordingtoanotheraspectofthepresentdisclosure)，提供半导体发光器件，其包括：半导体发光芯片，其具备电极，并且发射紫外线；底面部，其用于放置半导体发光芯片，形成有用于与电极的电气性连通的导电部，由陶瓷材质构成；以及由非金属构成的反射壁，其形成用于收容半导体发光芯片的腔体，具有反射紫外线的斜面，并且在斜面形成有由金属构成的反射层。根据本公开的又一方面(Accordingtoanotheraspectofthepresentdisclosure)，提供通过焊料结合于电源供给基板的半导体发光器件，其包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：/n具备电极的半导体发光芯片；/n模具，其形成为具有第一表面粗糙度，并且具有用于放置半导体发光芯片的底面部，在底面部形成有贯通孔，贯通孔的表面具有与第一表面粗糙度不同的第二表面粗糙度，至少与半导体发光芯片相对的一侧由对于从半导体发光芯片发出的光具有95％以上的反射率的材质构成；以及/n导电部，其为了与电极的电气性连通，设置于贯通孔。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181227 KR 10-2018-0170282;20190403 KR 10-2019-001.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：
具备电极的半导体发光芯片；
模具，其形成为具有第一表面粗糙度，并且具有用于放置半导体发光芯片的底面部，在底面部形成有贯通孔，贯通孔的表面具有与第一表面粗糙度不同的第二表面粗糙度，至少与半导体发光芯片相对的一侧由对于从半导体发光芯片发出的光具有95％以上的反射率的材质构成；以及
导电部，其为了与电极的电气性连通，设置于贯通孔。


2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
在贯通孔的表面露出有发挥生成导电部的种子功能的金属。


3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于，
在底面部的下表面形成有与设计方式对应地具有图案的散热金属层，
形成有散热金属层的底面部的下表面具有比第一表面粗糙度粗糙的第三表面粗糙度。


4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于，
散热金属层与导电部连接。


5.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于，
该半导体发光器件形成有从底面部的上表面向贯通孔外突出且与电极以及导电部电接合的上部金属层。


6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
导电部通过无电镀形成，
模具包含通过激光光束激活后发挥无电镀的种子功能的至少一个LDS添加剂。


7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
导电部通过无电镀形成，
模具包含通过激光光束激活后发挥无电镀的种子功能的第一添加剂以及通过激光光束激活后发挥无电镀的种子功能且对于从半导体发光芯片发出的热具有比第一添加剂更高的散热特性的第二添加剂。


8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
导电部通过无电镀形成，
模具包含通过激光光束激活后发挥无电镀的种子功能的第一添加剂以及对于从半导体发光芯片发射的光具有比第一添加剂更高的反射率的...

【专利技术属性】
技术研发人员：安相贞，
申请(专利权)人：安相贞，
类型：发明
国别省市：韩国;KR