半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体装置的制造方法，半导体元件用支承基板的制造方法的特征在于，包括如下步骤：准备第一基板，该第一基板具备第一面及与第一面相对的第二面；在第一基板形成从第一面侧朝向第二面侧的槽；在槽形成导电部；在第一面侧，将第二基板结合到第一基板；及在第二面侧以与导电部导通的方式形成第一导电焊盘。盘。盘。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
[0001]本申请是申请日为2015年10月22日，申请号为201580063313.4(PCT/KR2015/011193)，专利技术名称为“半导体元件用支承基板、包括该基板的半导体装置及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开(Disclosure)在整体上涉及半导体元件用支承基板、包括该基板的半导体装置及其制造方法(SUPPORTING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE，SEMICONDUCTOR APPARATUS WITH THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)，特别地，涉及能够防止半导体元件的裂开或破碎的半导体元件用支承基板、包括该基板的半导体装置及其制造方法。在此，半导体元件表示利用pn结的半导体元件，可例举半导体光元件(例如：半导体发光元件，半导体受光元件)。另外，半导体发光元件表示通过电子和空穴的复合而生成光的半导体光元件，可例举III族氮化物半导体发光元件。III族氮化物半导体由以Al(x)Ga(y)In(1
‑
x
‑
y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)构成的化合物构成。此外，还可例举用于发出红色光的GaAs类半导体发光元件等。

技术介绍

[0003]在此，提供关于本公开的
技术介绍
，但它并不一定表示公知技术(This section provides background information related to the present disclosure which is not nece ssarily prior art)。
[0004]图1是示出美国注册专利公报第7,262,436号中所公开的半导体发光元件芯片的一例的图，半导体发光元件芯片包括：衬底(100)；在衬底(100)上生长的n型半导体层(300)；在n型半导体层(300)上生长的有源层(400)；在有源层(400)上生长的p型半导体层(500)；在p型半导体层(500)上形成且用于向衬底(100)侧反射光的由3层构成的电极(901，902，903)；及在通过蚀刻而露出的第一半导体层(300)上实现焊盘的功能的电极(800)。电极(901)实现反射膜的功能，电极(902)实现阻挡层(barrier)的功能，电极(903)执行顺利实现与外部电极接合的功能。这样的形态的半导体发光元件芯片是电极(800)及电极(903)直接连接于SMD型封装体、PCB(Printed Circuit Board：印刷电路板)、COB(Chip
‑
on Board：板上芯片)、次黏着基台等(不通过引线接合)的形态，将此称为倒装芯片(Flip Chip)。
[0005]图2是示出日本公开专利公报第2006
‑
120913号中所公开的半导体发光元件芯片的一例的图，半导体发光元件芯片包括：衬底(100)；在衬底(100)上生长的缓冲层(200)；在缓冲层(200)上生长的n型半导体层(300)；在n型半导体层(300)上生长的有源层(400)；在有源层(400)上生长的p型半导体层(500)；在p型半导体层(500)上形成且实现电流扩散功能的透光性导电膜(600)；在透光性导电膜(600)上形成的p侧焊盘(700)；及形成在通过蚀刻而露出的n型半导体层(300)上的n侧焊盘(800)。并且，在透光性导电膜(600)上具备分布布拉格反射器(900；DBR：Distributed Bragg Reflector)和金属反射膜(904)。n型半导体
层(300)和p型半导体层(500)分别由多个层构成，虽然不优选，但是缓冲层(200)和透光性导电膜(600)可被省略，n型半导体层(300)和p型半导体层(500)的位置可互换。
[0006]图3是示出国际公开专利公报WO2014/014298号中所公开的半导体发光元件芯片的一例的图，半导体发光元件芯片包括：衬底(100)；在衬底(100)上生长的缓冲层(200)；在缓冲层(200)上生长的n型半导体层(300)；在n型半导体层(300)上生长的有源层(400)；在有源层(400)上生长的p型半导体层(500)；在p型半导体层(500)上形成且实现电流扩散功能的透光性导电膜(600)；在透光性导电膜(600)上形成且反射从有源层(400)生成的光的非导电性反射膜(900；例如：DBR)；及在非导电性反射膜(900)上形成的电极(700)和电极(800)。电极(700)和电极(800)分别通过导通部(710)和导通部(810)而与n型半导体层(300)和p型半导体层(500)电连接(electrical communication)。
[0007]图4是示出日本公开专利公报第2001
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358371号中图示的半导体发光元件的一例的图，半导体发光元件芯片包括：衬底(100)；在衬底(100)上生长的n型半导体层(300)；在n型半导体层(300)上生长的有源层(400)；在有源层(400)上生长的p型半导体层(500)；在p型半导体层(500)上形成的p侧电极(700)；及形成在通过蚀刻而露出的n型半导体层(300)上的n侧电极(800)。在电极(700)与电极(800)之间具备绝缘膜(9)。半导体发光元件除了半导体发光元件芯片之外，还包括：主体(1)；形成于主体(1)的引线框架(2，3)；在引线框架(2，3)上形成空洞(4)的模具部(5)；及包围半导体发光元件芯片的密封剂(1000)。密封剂(1000)中包括荧光体、光散射剂等。电极(700，800)通过接合层(7)而固定到引线框架(2，3)。关于电极(700，800)与引线框架(2，3)的电连接，可使用利用钉头凸点(Stud bump)的接合、利用导电粘结剂的接合、利用钎焊(Soldering)的接合、共晶键合等方法，但不作特别限定。
[0008]图5是示出以往的半导体发光元件的另一例的图，该图示出了在半导体发光元件芯片的衬底(100)固定在引线框架(2)的状态下利用引线(8)而与引线框架(2，3)电连接的形态的半导体发光元件。在利用引线接合的情况下，即便在元件内发生热，但由于在多个半导体层(300，400，500)与引线框架(2，3)之间存在衬底(100)，因此即便由半导体构成的多个半导体层(300，400，500)与由金属构成的引线框架(2，3)之间存在热膨胀的差异，也能够防止多个半导体层(300，400，500)的裂开或破碎。通常，将这样的形态的芯片称为横向芯片(Lateral Chip)。例如，在III族氮化物半导体发光元件的情况下，通常多个半导体层(300，400，500)的总厚度为10μm以下，基板(100；例如：蓝宝石)的厚度为80μm～150μm。
[0009]返回到图4，在半导体发光元件芯片以倒装芯片方式接合的情况下，多个半导体层(300，400，500)与引线框架(2，3)直接相对，当本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括：第一基板，其中所述第一基板具备第一面及与第一面相对的第二面；在第一基板形成从第一面侧朝向第二面侧的槽；在槽形成导电部；及半导体发光芯片，其结合到第一基板，该制造方法包括：将由蓝宝石制成的第二基板通过由光反应材料制成的粘结层粘结到第一基板的第一面，第一基板由陶瓷基板、Al2O3结晶基板、AlN结晶基板、HTCC、LTCC、Al2O3混合物或陶瓷、Al2O3‑
ZrO2混合物或陶瓷、AlN混合物或陶瓷构成；将包括所述半导体发光芯片的多个半导体发光芯片接合到所述第一基板的第二面，所述半导体发光芯片与所述导电部电连接，所述半导体发光芯片与所述半导体发光芯片电连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：安相贞，
申请(专利权)人：安相贞，
类型：发明
国别省市：