发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种发光元件及其制造方法，其中该发光元件制造方法包含：提供一基底，包含一上表面以及一下表面；形成一半导体叠层于上表面；移除部分半导体叠层形成一暴露区环绕半导体叠层；形成一介电材料叠层覆盖半导体叠层以及暴露区；以及以一激光照射基底，激光具有一第一波长；其中，介电材料叠层对于第一波长具有10％～50％的反射率及/或50％～90％的穿透率。透率。透率。

【技术实现步骤摘要】
发光元件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有提升切割良率的发光元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]固态发光元件中的发光二极管(LEDs)具有具低耗电量、低产热、寿命长、体积小、反应速度快以及良好光电特性，例如具有稳定的发光波长等特性，故已被广泛的应用于家用装置、指示灯及光电产品等。
[0003]现有的发光二极管包含一基板、一n型半导体层、一活性层及一p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p、n
‑
电极。当通过电极对发光二极管通电，且在一特定值的顺向偏压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性层内结合以放出光。然而，随着发光二极管应用于不同的光电产品，当发光二极管的尺寸缩小时，如何维持其光电特性并提升其切割良率，为本
人员所研究开发的目标之一。

技术实现思路

[0004]一种发光元件制造方法，包含：提供一基底，包含一上表面以及一下表面；形成一半导体叠层于上表面；移除部分半导体叠层形成一暴露区环绕半导体叠层；形成一介电材料叠层覆盖半导体叠层以及暴露区；以及以一激光照射基底，激光具有一第一波长；其中，介电材料叠层对于第一波长具有10％～50％的反射率及/或50％～90％的穿透率。
[0005]一种发光元件，包含：一基底，包含一上表面、一下表面以及多个侧壁；多个变质区，位于多个侧壁的任一侧壁上，分别由下表面延伸至上表面；一半导体叠层，位于上表面；一暴露区，位于上表面，不被半导体叠层所覆盖且围绕半导体叠层；以及一介电材料叠层，覆盖半导体叠层以及暴露区。
附图说明
[0006]图1为本专利技术一实施例发光元件1的上视图以及截面图；
[0007]图2为本专利技术一实施例发光元件1制造方法中的局部上视图；
[0008]图3为图2中沿B
‑
B
’
线段的截面图；
[0009]图4A为图2中沿A
‑
A
’
线段的截面图；
[0010]图4B至图4D为本专利技术一实施例发光元件1制造方法于各阶段的截面图；
[0011]图5A及图5B为图2的局部放大图；
[0012]图6为本专利技术一实施例发光元件1制造方法中的局部上视图；
[0013]图7为本专利技术一实施例中，不同波长的入射光及介电材料叠层的反射率的关系的示意图；
[0014]图8A为本专利技术一实施例发光元件1的外观示意图；
[0015]图8B为本专利技术一实施例发光元件1的外观照片图；
[0016]图9为本专利技术另一实施例发光元件2制造方法中的局部上视图；
[0017]图10A为图9中沿A
‑
A
’
线段的截面图；
[0018]图10B至图10C为本专利技术另一实施例发光元件2制造方法于各阶段的截面图；
[0019]图11为本专利技术另一实施例发光元件2的上视图以及截面图；
[0020]图12为本专利技术另一实施例发光元件2的外观示意图；
[0021]图13A为本专利技术一实施例显示器的上视示意图；
[0022]图13B为本专利技术一实施例显示器的局部截面图；
[0023]图14为本专利技术一实施例的显示器背光单元的截面图。
[0024]符号说明
[0025]1、2 发光元件
[0026]4 发光元件封装体
[0027]6 光源
[0028]8a、8b 电路接合垫
[0029]10、10
’ꢀ
基底
[0030]10a、10a
’ꢀ
上表面
[0031]10b、10b
’ꢀ
下表面
[0032]100 载板
[0033]101 显示器
[0034]103 显示器背光单元
[0035]110 电路层
[0036]112 光学膜
[0037]130 数据线驱动电路
[0038]140 扫描线驱动电路
[0039]12 半导体叠层
[0040]121 第一半导体层
[0041]121a 上表面
[0042]121b 表面
[0043]122 第二半导体层
[0044]122a 上表面
[0045]122b 表面
[0046]123 活性层
[0047]16 接合层
[0048]16a 上表面
[0049]18 透明导电层
[0050]20 第一电极
[0051]201 第一延伸电极
[0052]30 第二电极
[0053]301 第二延伸电极
[0054]40、40
’ꢀ
孔洞
[0055]401、401
’ꢀ
变质区
[0056]50 介电材料叠层
[0057]50a、50b、50c、50d 第一子层、第二子层、第三子层、第四子层
[0058]501、502 开孔
[0059]60 凹槽
[0060]601 变质区
[0061]81、83 电极
[0062]200 显示基板
[0063]202 光源模块
[0064]204 电路载板
[0065]210 显示区
[0066]220 非显示区
[0067]300 底壳
[0068]S1、S2、S3、S4 侧壁
[0069]θ1、θ2、θ3、θ4夹角
[0070]R1、R1
’
、R2、R2
’
暴露区
[0071]MS、MS
’ꢀ
高台
[0072]L 激光
[0073]L1 第一激光
[0074]L2 第二激光
[0075]PX 像素单元
[0076]PX_A、PX_B、PX_C 子像素
具体实施方式
[0077]下文中，将参照图示详细地描述本专利技术的示例性实施例，已使得本专利
技术人员能够充分地理解本专利技术的精神。本专利技术并不限于以下的实施例，而是可以以其他形式实施。在本说明书中，有一些相同的符号，其表示具有相同或是类似的结构、功能、原理的元件，且为业界具有一般知识能力者可以依据本说明书的教导而推知。为说明书的简洁度考虑，相同的符号的元件将不再重述。
[0078]图1显示本专利技术一实施例发光元件1的上视图以及截面图。图2显示本专利技术一实施例发光元件1制造方法中的上视图；图3显示图2中沿B
‑
B
’
线段的截面图；以及图4A显示图2中沿A
‑
A
’
线段的截面图。
[0079]如图1所示，发光元件1包含基底10、半导体叠层12位于基底10的上表面10a上、透明导电层18、介电材料叠层50、第一电极20以及第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件的制造方法，包含：提供基底，该基底包含上表面以及下表面；形成半导体叠层于该上表面；移除部分半导体叠层形成暴露区环绕该半导体叠层；形成介电材料叠层覆盖该半导体叠层以及该暴露区；以及以第一激光照射该基底，该第一激光具有第一波长；其中，该介电材料叠层对于该第一波长具有10％～50％的反射率及/或50％～90％的穿透率。2.如权利要求1所述的制造方法，包含：沿着该暴露区于该下表面照射该第一激光；以及将该基底分割，以形成多个该发光元件。3.如权利要求2所述的制造方法，其中，该第一激光自该下表面在该基底内形成孔洞，贯穿该基底以及该介电材料叠层，或该第一激光自该下表面在该基底内形成变质区，延伸至该上表面。4.如权利要求1所述的制造方法，其中，该半导体叠层发出主波长为第二波长的光线，该介电材料叠层对于该第二波长的该光线具有90％以上的反射率。5.如权利要求1所述的制造方法，其中形成该半导体叠层于该上表面包含：以接合层将该半导体叠层接合于载板，其中该接合层与该载板组成该基底。6.如权利要求5所述的制造方法，还包含以第二激光沿着该暴露区于该上表面照射该基底，且该第二激光在该基底内形成多个凹槽，该多个凹槽其中之一的深度介于2μm～50μm。7.一种发光元件，其特征在于，包含：基底，该基底包含上表面、下表面以及多个侧壁；多个第一变质区，位于该多个侧壁的任一侧壁上，该多个第一变质区其中之一以垂直于该下表面的方向连接该下表面与该上表面；半导体叠层，位于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：林哲弘，郭得山，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：