将发光器件附着到支撑衬底的方法技术

根据本发明专利技术各实施例的方法包括：提供半导体发光器件的晶片，每个半导体发光器件包括夹在n型区域和p型区域之间的发光层。提供支撑衬底的晶片，每个支撑衬底包括本体。将半导体发光器件的晶片接合到支撑衬底的晶片。形成延伸穿过每个支撑衬底的本体的整个厚度的通路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于将半导体发光器件附着到支撑衬底的晶片级工艺。
技术介绍
包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL)和边缘发射激光器的半导体发光器件属于当前可获得的最高效的光源。在能够跨过可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中当前感兴趣的材料体系包括II1-V族半导体，尤其是也称为III族氮化物材料的镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金。典型地，通过金属有机物化学气相沉积(M0CVD)、分子束外延(MBE)或其它外延技术在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其它适当衬底上外延生长不同成分和掺杂剂浓度的半导体层的堆叠来制造III族氮化物发光器件。所述堆叠常常包括形成在衬底上的掺杂了例如Si的一个或多个η型层、形成在所述(一个或多个)η型层上的有源区域中的一个或多个发光层、以及形成在所述有源区域上的掺杂了例如Mg的一个或多个P型层。电接触形成在所述η型区域和P型区域上。图10示出了在US6，876，008中更详细描述的附着到载具(submount) 114的发光二极管管芯110。在所述载具的顶面和底面上的可焊接表面之间的电连接形成于所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供半导体发光器件的晶片，每个半导体发光器件包括夹在n型区域和p型区域之间的发光层；提供支撑衬底的晶片，每个支撑衬底包括本体；将半导体发光器件的晶片接合到支撑衬底的晶片；以及形成延伸穿过每个支撑衬底的本体的整个厚度的通路。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.01 US 61/491,9181.一种方法，包括: 提供半导体发光器件的晶片，每个半导体发光器件包括夹在η型区域和P型区域之间的发光层； 提供支撑衬底的晶片，每个支撑衬底包括本体； 将半导体发光器件的晶片接合到支撑衬底的晶片；以及 形成延伸穿过每个支撑衬底的本体的整个厚度的通路。2.如权利要求1所述的方法，其中将半导体发光器件的晶片接合到支撑衬底的晶片包括通过至少一个接合层的接合。3.如权利要求2所述的方法，其中所述至少一个接合层包括被电介质区域分开的金属区域，其中所述金属区域和电介质区域形成在每个支撑衬底的本体的顶面上。4.如权利要求2所述的方法，其中所述至少一个接合层包括形成在半导体发光器件的晶片上的聚合物层。5.如权利要求2所述的方法，其中所述至少一个接合层包括形成在半导体发光器件的晶片上的有机粘合剂。6.如权利要求2所述的方法，其中所述至少一个接合层包括形成在半导体发光器件的晶片上的第一电介质接合层以及形成在支撑衬底的晶片上的第二电介质接合层。7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一和第二电介质接合层包括硅氧化物。8.如权利要求1所述的方法，其中每个支撑衬底本体包括S1、GaAs和Ge...

【专利技术属性】
技术研发人员：DA斯特格瓦德，JC布哈特，S阿克拉姆，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：
国别省市：