阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术是关于一种阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：基板；基板上依次形成有包括栅极的图案以及栅绝缘层，包括栅极的图案包括多个栅极；在形成有栅绝缘层的基板上形成有包括半导体层的图案；在形成有半导体层的图案的基板上形成有源极与漏极的图案，半导体层的图案分别与源极、漏极连接，第一连接点至第二连接点在半导体层的图案上的距离大于栅极的任一边长。本发明专利技术通过增加源漏极间的距离来增大源漏极间的电阻，继而减小关态电流，解决了相关技术中以目前的关态电流在低刷新频率下，无法保持加载在液晶显示像素的电压的问题；达到了在低刷新频率下，也能保持加载在液晶显示像素的电压的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、阵列基板制造方法和显示装 置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器（ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称 TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地 位。 金属氧化物TFT是最近几年新兴的技术，开态电流大、迀移率高，均一性好，透明， 制造工艺简单，可以更好地满足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的需求，备受人们 的关注。金属氧化物TFT的开态电流是非晶硅TFT的50倍以上，关态电流一般在l(TnA(安） 到1(T12A之间。而在静态画面时采用低刷新频率，可以大幅减少功耗。 专利技术人在实现本专利技术的过程中，发现上述方式至少存在如下缺陷：以目前的关态 电流在低刷新频率下（如1HZ)，无法保持加载在液晶显示像素的电压。
技术实现思路
为了解决相关技术中以目前的关态电流在低刷新频率下，无法保持加载在液晶显 示像素的电压的问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置。 所述技术方案如下： 根据本专利技术的第一方面，提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；所述基板上依次形成有包括栅极的图案以及栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的基板上形成有包括半导体层的图案；在形成有所述半导体层的图案的基板上形成有包括源极与漏极的图案，所述半导体层的图案分别与所述源极、所述漏极连接，所述半导体层的图案与所述源极设置有第一连接处，所述第一连接处的任意一点为第一连接点，所述半导体层的图案与所述漏极设置有第二连接处，所述第二连接处上的任意一点为第二连接点，所述第一连接点至所述第二连接点在所述半导体层的图案上的距离大于所述栅极的任一边长。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11